成兰铁路特长深埋隧道岩爆段应力特征

为了探究高地应力环境下深埋隧道岩爆发生机理,掌握岩爆孕育规律,通过现场测试、数值分析及室内实验,对平安特长深埋隧道岩爆段围岩的二次应力场进行了分析,探明了隧道岩爆发生的力学机制,并运用经典应力岩爆判据指标,预测判断出岩爆发生强度及位置。研究表明：隧道侧壁处存在较大的压应力,是造成岩爆发生的主要原因;高地应力条件下,由于结构面等不利因素的存在,造成掌子面中部处原岩应力突发释放而引发高烈度的岩爆;在岩爆区段进行应力释放孔的布置,能够有效地释放原岩应力,减少岩爆发生的可能性。相关研究成果能够深化人们对于高地应力环境下岩爆发生机制的认识,为类似工程岩爆的防控及建设提供科学依据。     

韵律词边界的协同发音问题——对语音合成自然度的思考

就目前语音合成自然度的现状,探讨了合成语音中韵律词边界V#C,VN#C之间的无声间隙和过渡音存在的问题,以及由此造成的合成语音中词或短语之间的顿挫感和个别音段自然度较差的问题.该文在基于对普通话协同发音生理(EPG)研究的基础上,揭示了韵律词边界存在的协同发音现象并提出了解决合成自然度问题的方案.结果表明:韵律词边界闭塞(GAP)和停顿(SP)的区别在于,停顿表现在元音韵尾无过渡音且时长延长,辅音无声段时间较长,而闭塞则不同;语料库中增加擦音前韵尾的标注信息作为合成的匹配规则,可以消除合成中擦音前的顿挫感;韵尾过渡音中舌前辅音前面的韵尾F2上升,舌前辅音中的翘舌音/zh,ch,sh,r,l/使韵尾的F3下降.舌根音、唇音和唇齿音使前面的韵尾F2下降;语调短语的韵律词边界没有V#C、VN#C的过渡音且边界间是停顿而非闭塞,不存在协同发音现象.     

一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源

介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,采用了 3.3V ,0 .35 μm ,N阱 ,CMOS工艺 .通过Spectres和HSpice的仿真 ,它具有 6× 10 -6K-1的温度系数和 2 .2mV/V的电源抑制比 .     

葡萄山隧道高地应力大变形施工对策及应用

以葡萄山隧道高地应力大变形段为工程背景,分析了隧道施工过程中遇到的围岩及支护结构发生的变异,见象及变异原因,同时提出了相应的施工对策并得到有效的应用,确保了隧道安全、经济及快速施工。结果表明：对高地应力及大变形隧道施工,通过现场监控量测和综合地质预报信息相结合,准确了解围岩及支护结构的力学特性,引用动态施工和设计的理念,及时调整施工方法和设计参数,对保障隧道工程安全和优化施工具有现实意义和实际应用价值。     

真空蒸发法制备CdTe薄膜的光电特性

真空蒸发技术制备的 Cd Te薄膜在可见光范围内的透射率很低 ,而且受材料配比和掺杂等因素的影响 .通过 Cd Te薄膜的透射光谱可计算出其吸收系数和光带隙 ,实验发现 ,掺In会使 Cd Te薄膜的光带隙变宽 .在电学特性上 ,Cd Te薄膜根据制备工艺的不同表现出 n型和 p型两种导电类型 ,本文主要研究了材料配比、掺 In及热处理对导电类型的影响 .另外掺杂及热处理会使 Cd Te薄膜电阻率下降达 2个数量级     

铁路隧道在高地应力作用下的有限元分析

针对设计为两座单线的隧道,其围岩主要为V级围岩,地下水类型以基岩裂隙水为主.通过采用弹塑性理论及ANSYS有限元分析方法,对实际工程铁路隧道开挖及初期支护过程进行三台阶开挖下的三维仿真模拟分析,并对软岩隧道的初期支护施工的优化提供了改进方案.对比模拟数据与各断面实际量测数据,均在15天左右趋于稳定,结果证明该模型的建立是可行的.所得结果对隧道初期支护施工有一定的参考.     

构建中小城市科技人才高地环境对策

文章分析了科技人才环境，包括创业环境、生活环境、学习环境和成长环境，阐述了建立科技人才环境的办法，还强调了创造了一个良好的环境是吸引和留住科技人才的重要因素，是构建中小城市的人才高地的关键。     

新型芴类发光共聚物

采用Suzuki偶合方法合成了萄与低带隙单体噻吩（Th)及其衍生物乙烯基二氧噻吩（EDT），4，7－二噻吩－2，1，3－苯并噻二唑（DBT），4，7－二噻吩－2，1，3－苯并硒二唑（BTSe)的二元无规共聚物，实现了聚芴颜色的调节，得到了发蓝绿光到黄光（峰值波长在490－560nm之间）以及饱和红光（峰值波长在628－718nm)的聚合物，所得到的共聚物的最大电致发光（EL）外量子效率为0．45％，芴与EDT共聚物的最大EL外量子效率为1．8％，芴与DBT共聚物的最大EL外量子效率为1．4％，均比文献中所报道的相应聚合物高得多，实验中还观察到了由于激子在低带隙单体DBT和BTSe位置的捕获而产生的有效的能量转移，这表明采用Suzuki偶合方法合成用少量低带隙单体掺杂至大带隙单体所得到的共聚物是一种极大发展前景的新型发光聚合物。     

AgBr晶体的能带结构

计算了ＡｇＢｒ晶体的能带结构，得出了带隙和价带宽度，表明ＡｇＢｒ晶体为非直接带隙物质。     

窄能隙导电高分子设计、合成新进展

详细介绍国内外在一类新型导电高分子材料 (CPs)—窄能隙导电高分子材料主要研究成果 ,这一领域正成为掺杂导电材料的有力挑战 ,为有机金属的研究提供了理论依据和新的发展方向