高压试验安全对策分析

高压试验是电力系统高效运行、持续运转的必要保证,不同的电气设备其电压的等级必然不同。因此这也引发了高压试验及维护环节的诸多不确定性,不安全性因素。为了降低高压试验环节中的安全隐患,保障高压维护人员的作业环境及人身安全,本文从高压试验的加压方式及科学操作出发,讨论了高压试验的安全对策,对提高高压试验工作质量,延长电气设备使用寿命,保障操作人员的生命财产安全有重要的指导作用。     

溶氧控制对黄色短杆菌YILW合成L-异亮氨酸的影响

对黄色短杆菌YILW合成L-异亮氨酸的发酵溶氧条件进行了探索,构建了该菌合成上L-异亮氨酸的代谢网络和代谢流平衡模型.在30 L发酵罐中考察了不同溶氧浓度下L-异亮氨酸发酵过程.研究结果表明:高溶氧浓度有利于菌体生长,15%溶氧浓度下产酸速率高且维持的时间长,有利于L-异亮氨酸的积累.为此提出了分段控氧模式:在菌体生长...     

化学镀铁工艺中络合剂用量的优化实验

通过化学镀铁工艺构建应用于惯性约束核聚变实验用铁黑腔,在化学镀铁镀液配方中,络合剂是镀速和镀层孔隙率重要的影响因素。文中首先通过单一络合物实验初步得出了柠檬酸钠、乳酸和丙酸的初步范围,并通过正交试验优化了化学镀铁溶液中各络合物浓度,并讨论了不同浓度的络合剂对镀速和镀层孔隙率的影响关系。     

焙烧对伊利石在酸中溶解行为的影响

采用热分析(TG-DSC)、红外光谱(FTIp)和X线衍射(XRD)等手段,考察伊利石在焙烧过程中的晶体结构变化规律;通过焙烧后伊利石在硫酸溶液中的溶解实验,研究伊利石中Al,K和Si焙烧前后的溶出率变化。研究结果表明：焙烧促使伊利石晶体结构中四面体和八面体结构发生调整和变形,从而使八面体中Al元素赋存的化学环境发生变化,溶出活性显著增强,在H2SO4浓度为3 mol/L、温度为95℃、液固比为5/1 mL/g,转速为600 r/min条件下焙烧,Al在等体积的溶出液中,浓度由77.56 mmol/L提高到203.90 mmol/L。     

通过双Raman作用在超导量子干涉器件中实现多比特GHZ态

在腔中通过双Raman作用,在超导量子干涉器件中实现多比特GHZ（Greenberger-Horne-Zeilinger）态的制备.在制备过程中,由于腔场只是被虚激发的,所以腔模的衰减可以忽略.GHZ态的实现只用到了超导系统的两个基态,有效地避免了超导系统激发态的弛豫.     

超高强钢管气压热成形设备的研究开发

为了满足超高强钢管气压热成形工艺研究的需求,基于高气压热成形原理,轧制技术及连轧自动化国家重点实验室自主设计开发了一套超高强钢管气压热成形设备.该设备利用电阻加热方式对管坯温度进行精确控制,开发了管端部高压密封结构、快速充气系统及液压伺服进给系统;结合模具内部的循环冷却水路设计,高温管件在内高压与轴向进给联合作用下成形,且成形过程中与冷态模具接触被直接淬火,实现了单工位条件下的管件加热、成形及在线淬火功能.实验测试表明,该设备最高充气压力可达40 MPa且密封可靠,温度控制精度为±1℃,管件充气速度连续可调,为超高强钢管气压热成形工艺研究提供了可靠的支持.     

硫铁矿烧渣铁系氧化物的酸溶特性

为了改善硫铁矿烧渣酸溶工艺,提高铁的浸取率,研究了在70℃,反应3h,酸过量系数为1.2的条件下,不同质量分数的盐酸、硫酸以及两者混合后硫铁矿烧渣中铁系氧化物的酸溶特性.通过酸溶效果的数值模拟分析可知,盐酸酸溶效果优于硫酸酸溶.由混酸实验结果发现,混酸溶解效果优于相同H+浓度的单酸.此外,为了更准确地说明酸溶特性,对酸溶后的残渣进行了ICP,XRD和SEM表征.结果发现:原矿渣中主要含有的Fe3O4含量明显减少,表面呈现复杂结构的团块状也被分解成不同形状的小颗粒;且硫酸在酸溶过程中与矿渣中的金属形成新的晶体化合物,阻碍溶解.     

高硫膏体强度劣化机理实验研究

高硫尾矿配制成的膏体表现出不同程度的强度劣化,高硫膏体强度劣化能引起充填体质量的巨大变化.通过不同硫含量的膏体强度劣化实验,同时结合X射线衍射物相分析和环境扫描电镜分析,对高硫膏体的劣化规律和劣化机理进行了分析.得出含硫尾矿在一定程度上能促进膏体早期强度增长,却抑制了后期强度发育,硫含量越高,膏体后期强度劣化越显著.硫化物氧化生成的硫酸盐能促进膨胀性钙矾石和石膏类物质的生成.同时酸性环境造成了C-S-H的脱钙和CH的分解,已形成的胶凝体系遭到破坏,进一步促进了充填体的劣化.通过孔隙计算模型对晶体膨胀应变和裂纹发育过程进行了分析,阐述了膨胀性物质的线弹性应变发育机理.     

风力发电故障穿越技术综述

随着环境问题和能源危机的爆发,人类对新能源的探索日益深入。风力发电由于其特有的优势而受到关注。随着风力发电装机容量的日益增加,电网对其故障穿越能力提出了更高的要求。针对这一问题,介绍了并网点电压骤降与骤升的形成原因,给出了国内外对低压穿越(LVRT)、高压穿越(HVRT)提出的标准。针对双馈机组采用改进控制策略和改进硬件电路两个技术层面,分析了低、高压穿越不同解决方案,最后对故障穿越的研究方向进行了展望,为后续研究提供了参考。     

基于腔QED系统实现多种量子克隆

在腔QED中,基于原子与腔场的相互作用,它提出了一个通过控制原子与场相互作用的时间实现多种量子克隆的方案。例如,对于任意的输入量子态,可以实现普适的最优量子克隆;对于赤道输入量子态,通过参数调控,可以实现非对称性的1→2相位协变克隆和最优的非对称性的经济型的1→3相位协变克隆。在整个克隆过程中,由于原子与大失谐模式的腔场相互作用,所以该方案不受腔损和热场的影响。