电子密度对PCVD制备SnO_2导电薄膜的影响

利用双探针测得了管式射频等离子体反应器内电子密度的轴向和角向分布,并制得了SnO_2透明导电薄膜.实验表明,薄膜的沉积速率、电学性能及结晶形态受等离子体电子密度的影响较大.在电子密度高的地方,薄膜沉积速率快,薄膜电阻低,其薄膜的晶粒也均匀细微密集.     

气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.     

类钠铜、硒和锝离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数

本文在Z标度类氢模型算法下,采用库仑-玻恩交换近似和改善的屏蔽常数定义,计算了类钠铜离子和类钠水窗两端的硒和锝离子的内外壳层电子的电子碰撞直接电离和非直接激发自电离的速率系数和截面.     

不同床层温度流化床分批干燥曲线的转换

提出从等温入口流化床分批干燥曲线预测等温床层干燥曲线的近似方法，该法可从某一恒温入口条件下测得的等温入口干燥曲线转换为所希望温度下的等温入口干燥曲线，且由皮革、树脂球和砖粒等物料的实验所证实．     

光对光合细菌生长及色素合成的影响

研究光照和黑暗条件下生长的光合细菌转入不同光照强度下培养时其菌体生长速率及色素合成速率的变化，阐明光对光合细菌生长及色素合成的影响。结果表明，黑暗中生长的光合细菌进入光照条件下生长要经过一段适应期；随着光照强度的增加，菌体生长速率增加，但色素的比合成速率降低。     

提高过程速率的本质浅析

本文从力学和电学两学科，对提高过程速率的本质进行讨论。得出：在过程推动力一定的情况下，要想提高过程的速率，必须降低过程的阻力；而过程的阻力又与物性参数有关，所以提高过程速率的本质即为研究表征物质特性的物理量──物性参数。这是自然界中一切过程的普遍规律。     

浅析DVI数字接口

通过论述DVI数字接口的定义,类型,作用,技术指标等,对这种现代信息科学技术有一个全面、概括地了解.帮助读者在用到该方面信息时,有一个前瞻性的评估.     

Soil Erosion Spatial Distribution Character of Sloping Field in the Sichuan Hilly Basin： Taking a Cultivated Slope in Neijiang as Example

0IntroductionNeijiang City locates in the south of The SichuanHilly Basin.The Sichuan Hilly Basin is underlainby horizontally bedded Mesozoic mudstones,siltstonesand sandstones.Purple soils developed on these rapidlyweathering rocks are widely distributed across the basin.According to second state soil erosion surveys based onremote sensing,the soil erosion rates in local area aretypicallyinthe range of3000-5000t·km-2·a-1[1,2].Inthe Sichuan Hilly Basin,one sloping field may is com-pose…     

HPLC测定包覆火药中的DNT及其迁移速率常数

用高效液相色谱法测定包覆火药中２，４－二硝基甲苯含量，样品用甲醇超声提取，在ＬｉｃｈｒｏｓｏｒｂＲＰ－１８，５μｍ柱上进行分析流动相甲醇－水（６０：４０Ｖ／Ｖ），检测波长２５４ｎｍ，方法的平均回收率９９．３％，相对标准偏差１．０％．关于迁移速率常数的估算，在恒温烘箱中，使包覆火药中２，４－二硝基甲苯加速向单基药膜扩散，间隔不同时间取出，测定其含量，进而按动力学方法得出常温（２５℃）下包覆火药中２，４－二硝基甲苯的迁移速率常数为１．４７×１０－９ｍ２／ｓ．