汽车点火集成开关电路中电流分配的最佳设计

本文通过对用于汽车电子点火的达林顿开关电路的分析,得到了一组进行两晶体管电流最佳分配设计曲线,并对设计中的有关问题进行了讨论。     

其它气体对饱和蒸气压影响的微观解释

本文利用分子动力论的观点,对饱和蒸气压随其它气体压强变化的现象给出了微观解释,通过计算,得出了与宏观理论一致的结果.     

关于某类正则Fourier级数及其导级数的求和法

引入一类正则的Ｆｏｕｒｉｅｒ级数及其导级数的求和法，并得到了相应的求和定理、饱和类定理及逼近定理，同时改进并推广了［１］的求和定理，修正了［１］的饱和类定理。     

用MET分析NdFe_（10）V_2，NdFe_（10）V_2N_（0．5）Nd

用两格点分子场理论分析了ＮｄＦｅ１０Ｖ２，ＮｄＦｅ１０Ｖ２Ｎ０．５，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２Ｎ０．５的饱和磁化强度随温度的变化关系，得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致，计算结果表明，氮元素增大了交换场ＨＲ．     

正交饱和设计中广义似然比检验的势函数(英文)

在试验误差服从正态分布的条件下,为Al-Shiha和Yang提出的正交饱和设计逐步检验法确定了一个势函数．该方法是由正态假设下的广义似然比检验统计量导出的,原先只能通过随机模拟来与其他方法比较．通过本文导出的势函数解析式,使得有可能将该方法与著名的Lenth方法等进行精确比较．     

Fe/Mo(110)的多层Fe的结构和磁性的研究

使用基于密度泛函理论的第一性原理VASP程序包研究了Mo(110)表面的双层Fe的磁性。计算表明,在Fe／Mo(110)／Fe的单层和双层Fe的磁性有较大的变化。吸附单层的Fe的磁矩达到了2.59μB,而附加了双层的Fe的磁矩变化更大,最外层的磁矩比体结构的磁矩增大了27.7％,为2.81μB,内层与Mo的接触层磁性也增大了6％。这主要是来自层间有反铁磁交换相互作用和结构畸变产生的结果。     

一类Baskakov型算子的逼近性质

借助连续模,对一Baskakov型算子及其导数进行了估计,得到了该算子逼近的点态估计、Voronovskaja型渐近表达式、点态饱和定理及该算子导数估计的等价条件.     

浅层低煤阶煤层气成藏条件分析

针对我国煤层气勘探开发的难题,从煤层气藏的气源和保存条件入手,深入分析了生物气作为气源在浅层低煤阶煤层气藏形成中的重要性,并研究了盖层条件、水文地质条件及甲烷菌的生气条件在浅层低煤阶煤层气藏的形成和保存过程中所起的作用.认为中国煤层气的勘探开发不应受氧化带的限制,在煤层上覆封盖条件较好的浅层寻找浅层低煤阶煤层气藏可能获得良好的经济效益.     

应力边界条件下饱和多孔介质的一维瞬态波动

采用基于混合物理论的多孔介质模型,提出了饱和多孔介质一维动力响应的初边值问题;利用拉氏变换和卷积定理,得到了在任意应力边界条件下瞬态波动方程的解析表达,为检验相关问题数值分析方法的精度和收敛性提供了依据。     

聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.