半导体器件中的量子隧道效应

利用隧道效应器件的量子力学理论 ,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为 .     

离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜.用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化.用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分.实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上.随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应.     

Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d^7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co^2＋杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥。计算中，不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应，而且考虑了3d^7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应，与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到。在考虑了键长与键角的微弱畸变后，理论计算值与实验观测值符合较好。     

XAuPH3 (X = H, F, Cl, Br, I, CN, CH3)的电子结构和非线性光学性质

采用量子化学ab initioHF和DFTB3LYP方法，在考虑赝势双-ζ的LANL2DZ基组水平上对XAuPH3(X=H,F,Cl,Br,I,Cn,CH3)分别进行几何构型优化，并与MP2的结果进行比较，以优化结构为基础，进一步引入外电场，运用有限场HF方法探讨各体系的净电荷分布，前线分子轨道以及非线性光学性质，该体系具有电子给体-金属-电子受体（D-M-A）结构类型，当分子中发生电子跃迁时，电荷转移越明显，其非线性光学性质越好，所选体系中，IAuPH3的βvec，γ值最大，分别为1184.1942,17341.9214a.u.用同样的方法计算了D-π-A型有机共轭体系IC6H4PH3^ ，其βvec,γ值为710.7697,11664.1405a.u.IAuPH3与其相比，非线性光学性质更为明显。     

流动电势用于角加速度传感器的研究

分析和讨论了一种新型角加速度传感器的工作原理与设计方法。该传感器是根据流动电热效应，直接将角加速度信号转换为电信号输出的。和其它形式的角加速度传感器相比，它具有结构简单、成本低、可靠性好、稳定性高等特点。     

双势阱分子自发隧道效应的研究

用解析法对双势阱分子的自发隧道效应进行了研究,得到了粒子的自发隧道效应周期与能级裂距成反比关系,从而对隧道效应对双势阱分子激发态的稳定性贡献给予了积极的肯定.     

应力法剪切下料的剪刃形式和适宜参数问题

应力法剪切下料是精密下料方法同裂纹技术的应力断料原理相结合的产物。通过建立夹紧剪切过程中被剪棒料的应力状态方程,分析了被剪棒料同剪刃及夹紧块之间的挤压应力分布,通过挤压应力的分布形式探讨了合理的剪刃形状,进而通过实验研究确定了适宜的剪刃几何参数,为应力法剪切的应用提供了理论依据和适宜剪刃。     

非线性退缩抛物型方程组初边值问题的可解性

应用上、下解方法证明非线性退缩抛物组初边值问题当1相似文献