SiH4辉光放电等离子体中中性基团的轴向分布

利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。     

SiH_4辉光放电等离子体中中性基团的轴向分布

利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。     

基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.     

铝诱导层交换的研究进展

铝诱导层交换是指铝-非晶硅双层膜经低温退火后,铝和非晶硅层的位置发生交换,导致在原来铝层的位置处形成一完整连续的多晶硅层.这一技术的应用将大幅度降低制备多晶硅薄膜的成本.本文针对近几年有关铝诱导层交换的研究进展,包括实验和理论研究两方面的进展,结合铝诱导层交换表征的一具体实例,对影响铝诱导交换的主要因素、层交换的动态过程及其机理作了一个综述.     

多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106～5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.     

聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管稳定性

以单晶硅为衬底, 二氧化硅为栅介质层, 聚3-己基噻吩（P3HT）薄膜为半导体活性层, 金属Au为源、漏电极, 制备出聚合薄膜晶体管（PTFT）, 并对该器件特性进行了表征．研究了该器件在空气环境下的稳定性, 并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论．结果表明, 当器件曝露在空气中时, 随着曝露时间的增加, 器件的饱和漏电流明显增大, 阈值电压逐渐增加．空气中的水是影响器件特性变化的主要因素．通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件空气中的稳定性, 并使器件的载流子迁移率提高3倍．     

用于微型计算机的有源矩阵液晶显示器控制模块的设计

为了用ＴＦＴＡＭＬＣＤ作为微型计算机的监视器，根据目前ＴＦＴＡＭＬＣＤ屏的水平并基于ＣＧＡ的显示标准，设计了ＴＦＴＡＭＬＣＤ控制模块，该模块包括液晶显示控制器（ＬＣＤＣ）、编码电路、显存等几部分，它能够满足ＣＧＡ的所有标准，正确接收和支持ＣＰＵ指令，支持ＲＯＭ－ＢＩＯＳ例程；能够提供液晶显示组件所需的各种控制信号，尤其是与ＣＲＴ不同的信号。测试结果表明，利用所设计的控制模块能够用ＴＦＴＡＭＬＣＤ取代ＣＲＴ终端，实现ＣＧＡ方式的显示。     

氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响

室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜进行处理，通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析，发现不同的退火时间对a—Si：H的微结构影响很大，氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H^0)与薄膜的反应．化学势很高的H^0能将Si—Si弱键转变成Si—Si强键．硅网络结构发生弛豫，使结构由无序向有序转变，从而能够降低晶化温度与退火时间．     

P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用

本文以B（CH3）3（TMB）为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,对P型微晶硅（c-Si：H）薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率.