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81.
为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH3)y(2-x)+水溶液,这种氨络合物溶液制备简单、成本低,并且由于容易形成高活性的氢氧自由基,使得氨-金属之间的分解所需要的活化能较低,生成氧化锌所需的能量较小,可以在180℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜.所制备的TFT器件的最高迁移率可达0.9 cm2/(V·s).这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结合,具有温度低和迁移率高的特点,完全能与柔性衬底兼容,在柔性显示中具有很大的应用前景. 相似文献
82.
《西安交通大学学报》2015,(12)
在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响。研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120∶20时,获得了4.8×10~5的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2V/dec,饱和迁移率达到11cm~2/(V·s)。沟道层氧气流量为2cm~3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×10~3的开关电流比。 相似文献
83.
朱臻 《山西大学学报(自然科学版)》2014,(1)
研究了弱反型时多晶硅薄膜晶体管表面势的分布。考虑到弱反型时,沟道势对表面势的影响可忽略,利用一维泊松方程,得到相应沿沟道方向任一点的表面势模型。通过将基于此模型的表面势二维分布与二维器件仿真结果进行比较,发现弱反型时,其可逼近二维器件中的表面势分布;并发现分别在相异栅电压,相异漏端电压和相异沟道长度时,弱反型时的表面势与其在沟道中所处的相对位置几乎无关。 相似文献
84.
正[本刊讯]复旦大学信息科学与工程学院仇志军副教授与刘冉教授领导的科研团队在揭示有机薄膜晶体管(OTFT)性能稳定性机制上取得突破性进展.提出了水氧电化学反应与有机薄膜载流子相互作用的统一理论模型.这一成果有望加速柔性电子领域的大规模应用。相关论文发表在2014年1月27日出版的Nature Communications杂志上。与传统电子器件相比,柔性电子 相似文献
85.
86.
采用快速退火工艺,促使非晶硅膜固相晶化,获得具备器件质量的微晶硅膜,以此晶化膜作基本材料,采取侧向光伏效应的工作模式,以金属-绝缘体-半导体(MIS)结构成功地研制出了一维微晶硅膜的光位敏探测器,实验结果表明,该器件具有非晶硅器件与晶体硅器件互补兼容特色。 相似文献
87.
本文报道了光吸收谱的恒定光电流(ConstantPhotocurrentMethod)测量法,并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)的光吸收谱,同时观测了StaeblerWronski(SW)效应中样品吸收系数的变化。 相似文献
88.
89.
提出用电荷控制法研究a-SiCCD电荷转移特性的理论模型,通过引入平均场效应迁移率的概念,推导出计算a-SiCCD电荷转移损失率的解析解,理论计算与实验结果符合较好.该模型可以较好地反映热扩散、自感应电场和边缘电场的漂移机制对a-SiCCD电荷转移特性的影响,分析结果表明,a-SiCCD的电荷的转移主要是受电场漂移作用控制. 相似文献
90.
本文采用多次陷落模型,用结恢复电流技术研究了a—Si:H太阳电池长时间光照后的光致变化效应。发现光照之后的太阳电池比光照前空穴迁移率和寿命的乘积有明显下降,而且光致亚稳缺陷主要起复合中心的作用。 相似文献