铝诱导晶化非晶硅薄膜研究

应用晶化非晶硅（a—Si）薄膜铝诱导方法，采用X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）、光学显微镜（Optical Microscopy，OM）和原子力显微镜（Atomic Force Microscopy，AFM）等测试手段，研究了退火条件对样品晶化的影响．结果表明，样品在300℃下退火后仍为非晶态；退火温度为400℃时，样品开始晶化．随着退火时间的增加，薄膜晶化程度越来越高，晶粒越来越大，同时薄膜表面粗糙度增加．     

TFT LCD响应时间的影响因素及技术突破

本文介绍了薄膜晶体管液晶显示器件(TFT LCD)响应时间的物理学概念及其影响因素,并对近年来响应时间发展趋势和技术突破做了讨论,2004年灰阶响应时间的引入是TFT LCD响应时间技术突破的节点。     

活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程

本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小.     

氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征

用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响．结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K,a-Si：H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级．a—Si：H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因．     

电子束蒸发的α—Si1—xCOx薄膜的光吸收特性

研究了电子束蒸发的掺过渡金属Co的非晶硅基薄膜α-Si_(1-x)Co_x的光吸收特性,结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响灵敏.0.10at%相似文献   

温度对非晶SiOx薄膜的光致发光特性的影响

采用双离子束共溅射法制备的SiOx薄膜为非晶结构,在室温下观察到了可见光致发光（PL）现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为－320nm,-410nm,-560nm和－630nm,且峰位和峰强随温度（基片温度Ts和退火温度Ta)的变化而发生变化,并对实验结果进行了讨论。     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数,并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响