南开大学稳步推进非晶硅太阳电池产业化

太阳能是一个巨大无比的清洁能源宝库.太阳40分钟内投射到地球表面的能量就相当于世界每年能量消耗的总和.因此,大力发展太阳电池产业,利用阳光发电已经成为世界各国经济可持续发展的新能源战略.     

非晶硅磷掺杂效率分析的新方法

介绍一种分析ａ－Ｓｉ掺杂效率的新方法。该法能够很好地解决ａ－Ｓｉ全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题，简便易行，为ａ－Ｓｉ掺杂性能研究和器件设计制造提供可靠的掺杂浓度和掺杂效率值。     

a－Si TFT－LCD黑白视频投影显示

模拟信号驱动方式的ＯＫＩＭＳＭ５２８０—５２８３系列ＬＣＤ驱动ＩＣ，非常适合于我们所研制的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（ａ－ＳｉＴＦＴ－ＬＣＤ）．自行设计接口控制电路，使视频信号与液晶驱动ＩＣ及液晶盒的电光特性相匹配．在光路设计中采用大口径聚光镜，从而获得了象质均匀，对比度达４０：１，灰度达８级的无闪烁视频图像．     

脉冲式XeCl激光辐照a—Si：H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐射ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ＾２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ＾－１～５１７ｃｍ＾－     

准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常

用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明,能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ∶Ｈ基底中的混合相的反映．     

非晶硅太阳电池因最大功率点分散引起的附加衰降

实验发现，小面积非晶硅电池经光照后，不仅转换效率下降，最大功率点也要发生移动。由非晶硅薄膜的不均匀性，各小面积电池的最大功率点的移动也不相同，引起最大功率点更加分散，因而给大面积电池带来额外的衰降。经过理论分析，计算了最大功率点分散造成的功率扣，提而估算了这种额外降的大上。结果表明，对一个单元的大面积电池，附加降并不太大；而对串联集成后的电池，附加衰降比较严重。对这个结果和所用的方法进行了讨论。     

AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。     

解M/a-Si势垒区泊松方程

本文证明:(1)对任何形式的、连续的、a-Si隙态密度分布函数,只要我们利用Riemann-Stieltjes积分中值定理,势垒区的泊松方程都可以解析求解.(2)M/a-Si势垒区泊松方程的抛物函数解,是由假定空间电荷区自由载流子耗尽带来的.     

氢化非晶硅的离子束淀积研究

本文研究了影响离子束溅射淀积非晶硅薄膜的各种因素:真空室气氛,加速电压,衬底温度,几何位置及膜后处理;提出并论证了含氢等离子体对靶和薄膜的冶金效应是诸种因素中最直接和实质性因素的论点     

氢化非晶氮化硅光电导性质的研究

研究了辉光放电方法在不同衬底温度下制备的一系列样品的稳态光电导和瞬态光电导。在辐照光强变化四个数量级的范围内,稳态光电导率与光强之间呈幂指数关系,指数γ的值确定为0.5～0.8之间。光电导与样品氮含量之间的关系表明,要获得光电导好的a—SiNx:H样品,制备衬底温度应比制备a—Si:H样品高50～100℃。对瞬态光电导的响应时间与辐照光强之间的关系也进行了研究。