供压敏元件用的氢化微晶硅薄膜的制备

供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm~(-1)～16Scm~(-1)的微晶硅薄膜。由X-射线衍射图和喇曼谱,测定晶粒尺寸和结晶体体积比分别为42～68A和60～70％。随着工艺条件的改变,在玻璃衬底上8000A厚的n型微晶硅膜的纵向效应灵敏系数(G因子)可达到-24.4～-30.5。     

高速沉积的α—Si:H薄膜光致变化的光电导研究

本文研究了高速生长的氢化非晶硅合金(a—Si:H)的光致亚稳变化,即 Stabler-Wrondki(S.W)效应.做了退火态(A 态)和长时间光照后的光浸态(B 态)的光电导温度曲线的测量,并利用一个较合理的缺陷态分布模型对其进行了模拟,从而发现长时间光照的主要结果是引起带隙中悬挂键的增加,带尾态的变化不明显,另外对光电导与光强的关系中的γ因子进行了计算和讨论.     

束参数对离子束溅射法所淀积非晶硅电特性的影响

本文论述了用离子束溅射淀积非晶硅(a-Si)和氢化非晶硅(a-Si:H)的方法,提供了加速电压和衬底位置改变对薄膜暗电阻率的影响结果,通过有关淀积工艺条件的研究,得出了一些有用的结论。     

运用改进的萤火虫算法求解TFT-LCD单元装配调度问题

针对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)液晶板组装制造阶段(Cell)生产调度的复杂性,且在考虑了各种约束条件的前提下,以最小化工件最大完工时间和加权延迟最小为调度目标,建立了TFT-LCD单元装配作业调度数学模型。运用加入混沌搜索的萤火虫算法解决作业车间调度问题,克服了标准萤火虫算法容易陷入局部最优、优化速度慢以及计算量大等困难,并与其他算法比较,仿真结果表明了改进的萤火虫算法求解TFT-LCD单元装配作业调度问题的合理性和优越性。最后,建立了具有学习效应和遗忘效应的TFT-LCD单元装配作业调度模型,分析了不同的学习因子和遗忘率对所求目标函数的影响。     

ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度

首次报告了用国产的廉价的ＺＣ３６型微电流测试仪测量非晶硅有效隙密度的原理和结果，其结果与美国生产的昂贵的４０６１Ａ型半导综合测试仪测量结果相一致。     

非晶硅多层膜中氢的核反应分析研究

本文利用8.42MeV窄共振核反应~1H(~(19)F,αv)~(16)O研究了辉光放电制备非晶硅多层膜中氢的深度分布、游动性及其随退火温度的关系。引进高斯分辨函数简化了数据处理过程,得到氢浓度随深度的分布情况,对氢污染及测氢标准进行了讨论。     

成都：高新区产业发展凸现“马太效应”

日前，我国西部首条液晶面板生产线，国内目前唯一实现彩色滤光片和液晶面板集成化生产的全自动生产线——京东方4．5代薄膜晶体管液晶显示器，在成都高新区实现量产。这意味着今后每月将有800万枚“成都造”手机液晶屏幕，从成都走向世界，销往国内外，京东方投资额达31亿元。如今的成都高新区产业发展逐渐凸现“马太效应”，至今年10月，在成都高新区投资的世界500强和国际知名企业已达40多家，