绝缘衬底上a-Si∶H膜CW Ar~ 激光结晶

本文用连续氩离子激光对辉光放电法淀积在二氧化硅层上的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜进行辐照扫描,使a-Si∶H膜结晶。利用金相显微术和透射电子显微术对結晶薄膜的形貌和結构进行了研究,并用等离子刻蚀技术确定结晶度。激光加工时衬底溫度为240℃,扫描速度为2cm/s,束斑直径大约40μm,交叠50％。经功率为4W激光辐照后,样品表面平整光亮,部分区域巴结晶成多晶,相邻的二次扫描的相间区由于溫度低于结晶溫度,仍为非晶态且易被腐蚀掉。激光功率增至6W和7W时,部分区域受损伤成为非晶、微晶和多晶混合体,而相间区已结晶成多晶。适当选择衬底溫度、激光功率和扫描适度可望获得良好的結晶,它对SOI器件的制作是有意义的。     

Al/α-Si复合膜中非晶硅晶化研究

研究了Al/α-Si复合膜中非晶硅的晶化问题.α-Si膜在与Al相接触条件下,其晶化温度下降,在350℃下退火几分钟,产生晶化转变.而单独的α-Si膜的晶化温度是700℃.     

非晶硅低温氧化工艺的研究

利用具有强氧化作用的硝酸和硫酸混合液,对常温、常压下的非晶硅氧化过程进行了初步研究,获得了预期的结果。1 实验方法以C-Si(单晶硅)为衬底的a-Si片作为实验样片。实验前,先用HF:NH_4F:H_20=3:6:10的SiO_2腐蚀液清洗样片,以去除样片表面的自然氧化层。实验时,再将已清洗的样片放入盛装HNO_3:H_2SO_4=2:l混合液的磨口瓶中,并密封加盖以防酸液挥发。     

基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展

ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点.就TFT发展历史、器件典型结构以及在AMLCD中的应用、国外ZnO TFT器件的进展状况进行综述,并展望了器件的前景.     

制造非晶硅锗合金膜的新技术

本文报告了我们设计的制造非晶硅锗合金膜的一种新方法——直流反应溅射法。用这种方法,我们得到了锗含量从5％到95％的分布均匀的氢化非晶硅锗合金,膜质均匀、致密,是制造太阳能电池、锗化锗晶体管的优良材料。     

功能性有机晶体管研究取得系列进展

基于质量轻、材料来源广泛和成本低等优点,有机薄膜晶体管(OTFT)显示出了广阔的应用前景并成为国际上广泛关注的前沿领域。随着OTFT性能指标的不断攀升,多功能器件的构建逐渐成为该领域最为重要的发展方向之一。近年来,中国科学院化学研究所有机固体实验室的研究人员在多功能OTFT的制备和功能应用研究方面开展了系统的研究。前期研究中,他们与国内外科研人员合作,结合超薄器件的构筑、活性层的化学     

氢化纳米非晶硅(na-Si:H)p-i-n太阳电池

文章报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池。电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF)。光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2)。