a—Si TFT—LCD黑白视频投影显示

模拟信号驱动方式的ＯＫＩＭＳＭ５２８０－５２８３系列ＬＣＤ驱动ＩＣ，非常适合于我们所研制的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（ａ－ＳｉＴＦＴ－ＬＣＤ）自行设计接口电路，使视频信号与液晶驱动ＩＣ及液晶盒的光电特性相匹配，在光路设计中采用大口径聚光镜，从而获得象质均匀，对比度４０：１，灰度达８级的无闪烁视频图像。     

氢化非晶硅光电导研究中的新现象

研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区．分析了ａ—Ｓｉ：Ｈ中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系．     

非晶硅太阳电池衰降的机制及特征分析

对不同类型的非晶硅电池进行了老化试验,并对性能衰降数据进行了统计、分析、对比和分类,从而归纳出非晶硅太阳电池衰降的基本过程为光诱导效应引起的衰降,非晶硅膜局部薄弱点引起的衰降,环境引起的衰降和扩散引起的衰降。对这些过程的特征进行了分析和讨论.     

氧对a—Si：H的性质的影响

使用N_2O作为掺杂剂将氧掺入GD a——Si∶H中,研究了氧对a—Si∶H的电学和光学性质的影响。结果表明,氧的加入使电导率降低,电导激活能和光学带隙增大,电子迁移率下降,隙态密度增大。     

功能性有机晶体管研究取得系列进展

基于质量轻、材料来源广泛和成本低等优点,有机薄膜晶体管(OTFT)显示出了广阔的应用前景并成为国际上广泛关注的前沿领域。随着OTFT性能指标的不断攀升,多功能器件的构建逐渐成为该领域最为重要的发展方向之一。近年来,中国科学院化学研究所有机固体实验室的研究人员在多功能OTFT的制备和功能应用研究方面开展了系统的研究。前期研究中,他们与国内外科研人员合作,结合超薄器件的构筑、活性层的化学     

从某TFT-LCD项目浅谈现代高科技工业建筑设计

结合实际项目中关于快轨模式的应用,从项目前期规划、基础设计、方案设计、初步设计及施工图设计等阶段的分析,简述现代高科技工业项目工程设计过程中,建筑专业应起到的重要作用。     

两步激光晶化法制备多晶硅薄膜晶体管

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸达到 1 .1 μm.分析了在不同激光功率密度下 ,由两步激光晶化方法所制备的多晶硅薄膜的拉曼光谱 .测量了相应薄膜晶体管的转移特性和输入输出特性 ,由此得出薄膜晶体管的迁移率为 1 0 3 cm2 /( V·s) ,ION/IOF F为 1 0 6 ,分别是传统单步晶化制备的薄膜晶体管的2 .5倍和 1 1倍 .分析了两步晶化方法扩大晶粒尺寸的微观机理     

掺氢非晶硅的红外谱和喇曼谱的从头计算

用从头计算方法和ＳＴＯ－３Ｇ基函数组计算了掺氢非晶硅的结构和振动谱，并对由于基函数的局限性采用小基团引起的误差进行了修正，算得的结果与实验符合很好。其结果表明：掺氢非晶硅中，氢除了饱和悬挂键外，还与Ｓｉ形成ＳｉＨ，ＳｉＨ２，Ｓｉｈ３和（ＳｉＨ２）ｎ等硅氢构型；并确定了双线频率对应于ＳｉＨ３的构型。     

非晶硅低温退火固相晶化的研究

从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。