溶液法制备氧化铝介质层的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管

采用旋涂法制备了氧化铝栅介质层薄膜.通过XRD和AFM分析表征了薄膜的结晶性和表面平整性.分光光度计测试表明薄膜在可见光范围的平均透射率大于85%.采用MIM结构研究其漏电流密度,在电场强度为1MV/cm时仅为3×10-9 A/cm2,表明可以用作栅介质层.以旋涂法涂覆的a-IZO薄膜为沟道层、旋涂法涂覆的氧化铝为介质层,制备了底栅结构的氧化物薄膜晶体管.测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强型模式,器件场效应迁移率为1.4cm2/(V·s),电流开关比约为105,阈值电压为2.2V,显示出相对较好的器件性能.     

有机薄膜晶体管的发展现状、机遇与挑战

 由于有机薄膜晶体管（OTFT）可采用低温低成本印刷工艺按需加工,及其良好的机械柔韧性和不断提升的器件性能,获得了学术界和产业界的密切关注,在包括柔性显示和传感器等诸多领域展现了巨大的应用潜力,但目前OTFT离大规模产业化还存在一定距离。结合市场实际需求,对OTFT现阶段的发展现状、机遇与存在的挑战进行总结。     

高速公路声屏障发展状况研究

随着公路交通的日益完善,噪声的治理得到广泛的关注,采取行之有效的方法是建造声屏障.声屏障是降低道路交通噪声,保护居民声环境的重要手段.通过研究国内外声屏障的发展,提出太阳能光伏声屏障的发展优势,讨论采用非晶硅太阳电池组件作为声屏障的设想,为了提高光伏系统的发电量开始研究双面光伏组建应用的可能性.     

非晶硅太阳电池的性能与薄膜特性的关系

在ＲｉｃｈａｒｄＳ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和Ｐｏｒｐｏｎｔｈ Ｓｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上,用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法,对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数与本征层光学带Ｅｇ、电子迁移率Ｕｎ的关系。开路电压Ｖｏｃ、短路电流Ｊｓｃ、电池效率随Ｅｇ的增大而急剧减小,而填充因子Ｆｆ随Ｅｇ的增大而缓慢减小。Ｖｏｃ,Ｊｓｃ,Ｆｆ都随Ｕｎ的增大而增大,变化最大,其     

非晶硅太阳电池的性能与结构参数的关系

在Ｒｉｃｈａｒｄ Ｓ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和Ｐｏｒｐｏｎｔｈ Ｓｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上,用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法,对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数随本征层厚度变化的关系。短路电流密度先随厚度的增加而增加,在１μｍ左右达到最大值,而后将减小,但但小得不多,开路电压基本上下随本征层厚度变化。填充因子随本征层厚度一直减小,从厚度０．１μｍ时的０．     

准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析

采用XeCl准分子激光器对PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理,对结晶膜的晶体质量进行了Raman光谱表征,研究表明,对于非扫描模式,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化,玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响,在150～450mJ/cm^2,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高,结晶膜中存在由非晶硅熔化与重结晶引入的张应力。     

具有学习退化效应的TFT-LCD面板成盒多目标调度问题研究

针对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板成盒生产规模性、多产品混线生产、机台特性复杂的特点,引入学习效应和退化效应,以最小化最大完成时间、机器等待时间、工件加权延期时间为目标函数,构建具有学习退化效应的TFT-LCD面板成盒多目标调度模型。基于两段式及IMM编码,采用多目标布谷鸟算法,结合双元锦标赛及动态淘汰规则,依据聚集距离密度评价指标构建帕累托非劣解集,对TFT-LCD面板成盒多目标调度问题进行求解。仿真结果表明,布谷鸟算法寻优能力优于精英保留贪婪解码遗传算法与工序期望最短完成时间调度规则等。通过实验,分析不同学习率和退化因子对调度结果的影响。     

a-Si:H中无序对悬挂键电子状态的影响

实验测得的α-Si:H 中悬挂键能级相对于迁移边 E_C 的位置很不一致,分散于0.9—1.3eV 之间,本文用量子化学 EHT 方法对这一重要实验问题进行了计算。首先对 EHT 方法所用参数进行了优化选择处理,并对各种不同组态环境下的悬挂键能级进行了计算。结果表明,α-Si:H 中的悬挂键能级位置随环境原子排列的无序度不同而明显变化,由此推论:α-Si:H 中的悬挂键因能级位置相对于费米能级不同可以有三种荷电状态 T_3~+、T_3~-和 T_3~°,它们在空间上是相互分离的。据此,许多与悬挂键有关而长期存在的问题可以得到解释。     

射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄膜的沉积速度影响很大,对材料的光电特性比较敏感;沉积气压升高达到一定值后,沉积速率变化不太明显,光电影响比较缓和;在低气压、小功率条件下,薄膜中出现小晶粒生长.