TFT液晶显示原理

就TFT(Thin-Film-Transistor)液晶显示器的显示原理和驱动原理两个方面进行了总结,首先介绍了液晶的基本知识和物理特性,然后说明了液晶利用旋光特性进行显示的原理,并比较直观介绍了TFT玻璃基板结构、TFT液晶的驱动方式、驱动原理和驱动电路.最后,总结了TFT-LCD在液晶显示领域的应用和发展前景.     

MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜

介绍了一种新型的MWECR-CVD装置.该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导.应用这一装置使a-Si:H薄膜的沉积速率达到了2 nm/s以上.为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热丝辅助的MWECR-CVD,这一改进可以大大降低薄膜的氢含量,改善薄膜的光照稳定性.     

非晶氧化锡铋薄膜晶体管偏压稳定性的研究

本文通过射频磁控溅射方法,在Si-SiO2衬底上制备了底栅层错型的非晶氧化锡铋(a-SnBiO)薄膜晶体管(TFTs),并表现出优良的开关特性.所制备的a-SnBiO TFTs阈值电压为0.7V,开关比为2.0×107.并且,通过在环境真空中的测试研究了a-SnBiO TFTs的偏压稳定性.研究发现,无论在正偏压下还是负偏压下,a-SnBiO TFTs均展现出了负向阈值电压漂移现象.这是由于沟道层内部缺陷态过多造成,偏压下氧空位相关缺陷电离产生自由载流子,使得沟道层中载流子浓度增加,造成阈值电压向负方向漂移.     

多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.     

微晶硅薄膜研究前景广阔

面对资源有限、能源紧缺的现实,开发新能源和可再生能源成为迫切任务。太阳能是清洁环保的可再生能源,利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换,发展光伏能源被     

国内中文报刊重要科技文章篇目辑览

数学类 分数维环式单向耦合Lorenz系统的同步 （于永光,等）北京交通大学学报[J]3 基于局部松弛和粗化策略的代数多重网格方法     

PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜

采用射频等离子体增强化学气相沉积系统（RF-PECVD）以高纯SiH4为气源在P型〈100〉晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频（13.56MHz）电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20~40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。     

影响p型α-Si∶H薄膜性能的因素研究

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷、硼烷、氢气为气源,在玻璃衬底上沉积氢化非晶硅薄膜.分析了气体的压强和射频功率两个参数对薄膜的沉积速率、折射率和晶化程度的影响.载流子的浓度随着射频功率的增加呈现先增加后下降的趋势;随着压强的增加,载流子的浓度出现先下降后增加的趋势;压强和射频功率对载流子迁移率的影响与对浓度的影响趋势相反.多次沉积薄膜后真空室的环境也对非晶硅薄膜的性质,如折射率、薄膜厚度、载流子浓度等造成影响.     

非晶硅色敏元件表色系统分区域空间线性变换研究

提出了表色系统分区域空间线性变换的原则，用软件技术解决非晶硅色敏元件光谱曲线与ＣＩＥ标准色度观察者光谱三刺激值曲线的拟合问题，简化了仪表的光学结构。     

非晶硅太阳电池稳定性研究

报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果，并对提高太阳电池稳定性进行了讨论。