金属／非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布

本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.     

非晶硅PIN太阳能电池在强光照射下的光电转换现象

用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。     

非晶与单晶硅电解掺氢的研究

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．     

电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。     

a-Si:H/a-Si_(1-x):Ge_x:H PIN二重结太阳电池的设计与计算

本文根据a-Si材料的性能参数,计算了pin器件中的结电场分布ε(x)及其极小值ε_(min),求出在一定条件下的满足全收集的最佳(大)i层厚度,并在这个基础上较严格地计算了E_(g1)=1.9eV的a-Si:H和E_(g2)=1.5eV的a-Si:Ge:H两种材料的pin单结太阳电池及由它们组成的二重结器件的光伏特性,在条件相近的条件下,a-Si:Ge:H pin单结太阳电池的效率与Mitchell的实驻结果相当接近。我们的二重结计算结果与DMM在相近条件下估算的结果接近。     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

a—si pin太阳电池势垒宽度和结电场分布的计算

本文采用自恰法及数字积分运算,对两种不同基体的Pin无定形硅太阳电池的势垒宽度和结电场分布做了计算。所得结果不仅与文献[1]所报导的结电场分布规律相一致,而且与文献[2]所报导的实验值很接近,这就为a—si太阳电池的最佳设计提供了一种新的计算方法。     

非晶硅太阳电池在反偏压下的光照特性

研究了温度循环和在反偏压下强光照对非晶硅太阳电池性能的影响。电池在90℃,4.5V反偏压下,经550mW/cm~2 的卤钨灯光照后,短路电流增加.光致衰降减小,长波响应改善.用内电场的变化进行了解释.