全文获取类型
收费全文 | 2838篇 |
免费 | 59篇 |
国内免费 | 121篇 |
专业分类
系统科学 | 17篇 |
丛书文集 | 175篇 |
教育与普及 | 246篇 |
理论与方法论 | 36篇 |
现状及发展 | 34篇 |
研究方法 | 1篇 |
综合类 | 2509篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 40篇 |
2022年 | 20篇 |
2021年 | 32篇 |
2020年 | 26篇 |
2019年 | 23篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 18篇 |
2016年 | 16篇 |
2015年 | 36篇 |
2014年 | 88篇 |
2013年 | 65篇 |
2012年 | 96篇 |
2011年 | 118篇 |
2010年 | 102篇 |
2009年 | 107篇 |
2008年 | 139篇 |
2007年 | 156篇 |
2006年 | 87篇 |
2005年 | 121篇 |
2004年 | 96篇 |
2003年 | 117篇 |
2002年 | 119篇 |
2001年 | 143篇 |
2000年 | 119篇 |
1999年 | 107篇 |
1998年 | 128篇 |
1997年 | 143篇 |
1996年 | 118篇 |
1995年 | 128篇 |
1994年 | 88篇 |
1993年 | 72篇 |
1992年 | 82篇 |
1991年 | 62篇 |
1990年 | 91篇 |
1989年 | 52篇 |
1988年 | 23篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 3篇 |
1965年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有3018条查询结果,搜索用时 78 毫秒
41.
太阳能LED路灯照明系统优化设计 总被引:9,自引:0,他引:9
在珠海完成国内第一个太阳能LED路灯示范工程的工作基础上,从路灯光源、控制电路、太阳电池组件最佳倾角确定、太阳电池组件和蓄电池容量确定等几个方面对太阳能路灯进行了设计优化,做到既能保证系统的稳定可靠运行,又能尽量减少系统规模和降低成本.结果表明采用LED作为路灯光源、直接耦合的方式的充放电控制器是太阳能路灯很好的选择,同时通过科学计算的方法对在珠海地区使用时太阳电池组件最佳倾角和组件和蓄电池容量进行了讨论.使用的方法和结论可以为的其他的太阳能路灯设计提供有力的帮助. 相似文献
42.
研究了负载型Ni-B/SiO2非晶态合金催化剂对菜籽油的选择性加氢性能,考察了反应温度、反应时间及催化剂浓度对反应的影响,确定了适合菜籽油氢化的工艺条件,并初步探讨了温度对生成反式酸的影响. 相似文献
43.
44.
温度对半导体激光器性能参数的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
本文主要研究了温度对激光器各参数的影响,主要包括温度与阈值电流密度的关系,温度对输出光功率的影响,温度对微分量子效率的影响,并且总结了一些温度和激光器结构设计之间的关系。 相似文献
45.
研究多原子极性半导体中强耦合体极化子内部激发态的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性半导体中强耦合体极化子的基态能量,第一内部激发态能量和激发能量。 相似文献
46.
半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支,因为半导体器件的体积越来越小,靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态,其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。 相似文献
47.
量子点荧光探针的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
量子点具有宽的激发光谱,窄的发射光谱,高的荧光量子产率,比有机染料寿命更长等优越的荧光特性,是一种理想的荧光探针,本文评述了量子点荧光探针合成的最新进展。 相似文献
48.
丁鹏 《长春师范学院学报》2003,(2)
本文介绍了半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化法的原理及影响因素,探讨了气相有机物光催化降解的过程和动力学,综述了提高半导体纳米粒子光催化活性的途径,讨论了气相有机污染物光催化降解进一步研究的方向,并对应用前景作出展望。 相似文献
49.
易小菊 《湖南大学学报(自然科学版)》2003,(Z1)
光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。 相似文献
50.
对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质. 相似文献