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991.
焊接结构疲劳强度预测的局部法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以焊缝附近局部半圆区域的平均应力为控制参数,得到焊接结构疲劳切口系数的计算理论,在考虑材料、结构几何形式、残余应力等因素对疲劳强度影响的基础上,建立了对称循环和非对称循环时焊接结构有效应力集中系数预测的局部法模型.通过对几类错位板接头的有限元计算分析,得到这些焊接结构焊缝附近局部区域的应力场,进而预测它们的疲劳强度,并将预测结果与疲劳试验进行了比较,获得了令人满意的结果.用局部法预估焊接结构的疲劳强度,能大量减少疲劳实验,节省经费开支,对工程应用有参考价值 相似文献
992.
为了消除Buck—Boosl变换器为代表的DC/DC(直流,直流)变换器最小相位性质的影响.对其输出电压进行控制,分析模型特性.采用非线性反馈控制电流内环.用RBF(径向基函数)神经网络设计了神经网络控制器控制输出电压外环,分析了系统的稳定性.仿真结果表明.提出的控制器动、静态性能很好.对变换器中元件参数的变化和负载电阻的扰动有较好的鲁棒性. 相似文献
993.
水稻雄性不育突变体OsMS-L的遗传与定位分析 总被引:3,自引:2,他引:3
通过对粳稻9522辐射诱变, 得到一隐性核不育的水稻雄性不育突变体OsMS-L, 对OsMS-L进行组织切片观察发现, 在小孢子时期绒毡层不退化, 小孢子不能发育成花粉粒. 花粉发育后期绒毡层异常增大, 小孢子破碎. OsMS-L与籼稻龙特甫B杂交, 自交获得F2代分离群体进行遗传定位. 通过遗传定位方法, 首先将突变基因座位定位在水稻第2染色体SSR标记RM109和RM7562之间. 为了对OsMS-L座位进行精细定位, 我们在RM109和RM7562之间发展了11对有多态性InDel分子标记, 将该基因座位定位在LHS10和LHS6之间, 距离二者都为0.4 cM, 物理距离为133 kb, 为最终克隆OsMS-L基因奠定了基础. 相似文献
994.
研究了具有多孔网状结构(Ba,Pb)TiO3半导体陶瓷的电阻温度特性, 发现在空气中长时间放置的(Ba, Pb)TiO3陶瓷在居里点以前有一段电阻值随温度升高而增大的反常阻温特性. 进一步的研究结果表明(Ba, Pb)TiO3陶瓷反常的阻温特性与其湿敏性相关, 在11%~93%相对湿度范围内, 电阻值变化3个数量级, 而且在单对数坐标中其湿阻特性曲线接近线性. 结合表面吸附、晶界势垒、铁电-顺电相变, 综合分析了(Ba, Pb)TiO3陶瓷的特殊敏感性机理, 并给出定性解释. 相似文献
995.
运用原位时间分辨FTIR反射光谱在分子水平研究乙二醇(EG)在Pt(100)单晶电极上吸附和氧化的动力学过程. 在0.10 V的时间分辨光谱中, 当t>5 s于2050 cm-1附近出现的红外谱峰归因于EG解离吸附产物线性吸附态CO(COL)的红外吸收. 红外光谱特征及其变化还证实, 吸附态CO在Pt(100)表面呈均匀分布; 当t>70 s于2342 cm-1附近出现CO2的不对称伸缩振动谱峰, 指认为EG的直接氧化. 研究发现随着电位升高, 直接氧化逐渐成为主要反应途径, 使解离吸附反应削弱. 当电位高于0.40 V以后, EG的氧化主要通过活性中间产物(–COOH)的途径进行. 相似文献
996.
997.
998.
《微机原理及应用技术》是电子电气信息类高职专业教学的一门重要的主干课程,也是机械、机电类等其它许多非电类专业的一门专业基础课。我校的微机原理课程是以MCS-51单片机为基础,详细介绍单片机的硬件结构、软件设计方法及常用的接口电路等相关内容。但从微机课程教学的现状来看,由于概念多且抽象难懂,所涉及的硬件知识较多,加上教学思路、教材及教学方法欠佳,使这门课程的教学工作出现了许多问题,学生也普遍反映抽象难懂难以掌握。因此,必须对这门课程进行改革以适应高职教育的需要。 相似文献
999.
詹华税 《集美大学学报(自然科学版)》2005,10(4):372-375
讨论了完备非紧正则黎曼流形上的Busemann函数间的关系,并用于讨论流形的几何拓扑性质. 相似文献
1000.
基于非期望效用函数的随机经济增长模型 总被引:1,自引:0,他引:1
采用非期望效用偏好结构,引入生产性政府花费,建立了连续时间随机经济增长模型,利用随机最优化方法,确定了宏观均衡解,在模型中讨论了产出的波动、税后资本平均回报率以及收入税对经济的宏观影响,得出了最优收入税税率的表达式r^*=1α。 相似文献