单片机的抗干扰技术措施

在工业控制、智能仪表中，大量采用了单片机芯片、抗干扰技术对单片机系统工作的可靠性是非常重要的、就单片机设计中硬件、软件比较常见的抗干扰措施进行分析和论述．     

采用长闪络避雷器防止绝缘导线的断线

随着配电线路绝缘导线的应用,由雷电引起的绝缘导线断线已成为配电系统一个新的问题。该文利用俄罗斯PodporkinGV提出采用长闪络避雷器(LFA)提高普通配电线路和输电线路的雷击耐雷水平的思路,提出采用LFA防止10kV中性点不接地配电系统绝缘导线的断线问题。研制了样品,并在清华大学高电压实验室进行了长闪络避雷器与绝缘子的绝缘配合试验,结果表明,长闪络避雷器可以解决10kV中性点不接地配电系统绝缘导线的断线问题。     

静电键合用微晶玻璃的研究

采用传统熔体冷却方法,研究以TiO2为成核剂、以Li2O Al2O3 SiO2为基础组成的玻璃的制备工艺;根据差热分析(DTA)的结果确定玻璃的核化与晶化温度,然后针对基础玻璃组成,采用二步热处理方法获得透明的微晶玻璃;用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化试样的物相和显微结构进行研究;用热膨胀仪测定玻璃在热处理前、后的热膨胀系数;用绝缘电阻测试仪测试该微晶玻璃的电阻率.研究结果表明:微晶玻璃的主晶相为Al2O3·TiO2微晶体,次晶相为ZnSiO3;微晶玻璃与硅片有相近的热膨胀系数,约为32.5×10-7/℃;微晶玻璃晶化后的电阻率较低,为6.8×1010Ω·cm.     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

一种小接地电流系统单相接地故障选线新方法

针对“小接地电流系统单相接地故障选线”的问题，提出了一种新的选线方法，它充分考虑了系统故障前后的不对称因素，可以应用于中性点不接地系统和中性点经消弧线圈接地系统，对只有两相CT的低压网络，可以直接使用，并有2／3的选线功能．     

新型接地距离继电器的研究

对几种新型接地阻抗继电器进行了仿真分析，综合现有Ｉ０极化继电器的优缺点，提出了一种Ｉ０和Ｉ２极化接地距离保护新方案．这种方案即使在系统参数未知的情况下，也能完全消除区外稳态超越，且能提高耐受过渡电阻能力．这一方案特别适合于在微机保护中推广     

一种新型接地电阻测量仪

介绍了一种最新研制的接地电阻自动测量仪。该测量仪利用数学逻辑控制由模拟开关和电阻组成的并联电网络，自动调节测量回路中的对地电位，并通过相敏电路检测电位平衡，从而实现了接地电阻的自动测量。     

直接矩阵变换法求解变电站地网的接地电阻

在变电站地网接地电阻的数值计算中，一般处理过程是先求出每个单元的泄漏电流，由此得出总的泄漏电流，进而得到地网接地电阻。本文提出了一种新的计算方法，通过矩阵变换直接求取接地电阻，不必先求单元泄漏电流，从而节省了计算时间，并提高了计算精度，这种方法对均匀土壤及不均匀土壤均适用。     

电象法应用讨论——介质替换及分区法

在电象法求解静电问题时，本文给出了形象的介质替换法和分区法，并通过具体例予以说明。     

聚乙烯醇静电纺丝法固定葡萄糖氧化酶

利用静电纺丝纳米纤维具有高比表面积和多孔疏松结构的优势固定葡萄糖氧化酶，以提高酶电极的性能．通过聚乙烯醇（PVA）和葡萄糖氧化酶（GOD）共同静电纺丝的方法在金电极表面获得了固定化酶膜，用于构筑安培型葡萄糖生物传感器，膜的红外光谱、紫外-可见光谱和扫描电镜的分析均表明酶成功固定在静电纺丝形成的纳米纤维膜中．循环伏安测试表明固定化酶在静电纺丝纳米纤维中保持了活性，采用PVA静电纺丝法固定COD比利用浇铸膜法所得到的酶修饰电极对葡萄糖有更好的电流响应特性，通过在静电纺丝溶液中加入纳米金进一步提高了酶电极的电化学响应特性．