利用霍尔元件进行电场测量及报警显示

利用霍尔元件和微处理机，对高压电场进行检测，利用该装置在一定距离下分别对220kV、100kV、30kV、10kV四种电场进行检测及报警处理，同时液晶显示日历及相应挡位，并且详细介绍了本装置的硬件原理及其软件流程，经过测试，说明本装置具有体积小、使用方便、耗电省等优点。     

电爆炸过程导体放电电阻的一种计算模型

电爆炸过程是电热炮等离子体发生器工作中重要的组成部分。该文将电爆炸过程分为5个阶段加以讨论，同时应用了等离子体电导率的计算模型以及脉冲功率源放电回路模型，最终建立了可以应用于等离子体发生器数值模拟的电爆炸过程导体放电电阻的计算模型。     

长圆柱形接地体接地电阻的计算

用一种较简捷的方法导出了长旋转椭球导体的电位,从而近似计算了长圆柱形接地体的接地电阻.     

挠性结构模型的频域极大似然法辨识

在构建的以压电陶瓷为执行器、电阻式应变片为传感器的挠性悬臂梁物理实验系统基础上,优化设计多正弦辨识输入信号,利用频域极大似然法辨识得到了整个系统的数学模型,并根据该模型进行了数字和物理控制仿真,验证了模型的有效性.良好的控制效果表明:对于挠性结构,频域极大似然法是一种有效的模型辨识方法.     

微小位移的电测法

将非电量测量转化为电量测量可以极大地提高对非电量测量的技术指标。微小位移的精确测量在诸多实验中均有重要的意义，为此，提出了若干种测量微小位移的电测法。     

碳纳米管薄膜电阻的热敏特性测试

针对单根碳纳米管测试的困难,用丝网印刷的方法制作了一种碳纳米管薄膜电阻.测量其热敏特性表明:其阻值随温度有明显的变化,并具有线性关系,通过线性拟合计算得到其电阻率温度系数为-4 79×10-6Ω·m/℃.研究结果表明,碳纳米管可望作为一种特殊的温度传感器用在功能服装中.     

一种基于ActiveX技术的温度采集系统的实现

介绍了一种基于ActiveX技术的温度采集系统.此系统由上位微机、RS-232/485转换器、温度采集模块以及热电偶组成.上位机使用VB编程,并将程序封装成ActiveX控件的形式,可以很容易地移植到其他应用程序中;下位机使用研祥公司生产的电阻式温度检测器(RTD)亚当模块ARK-14013,能很方便地与上位机连接.现场实验结果表明此系统能完成实时温度数据采集的功能,并具有较强的可操作性和稳定性.     

非线性电路故障诊断模型的建立及神经网络求解的方法研究

分析并推导了含有非线性流控型电阻元件和非线性压控型电阻元件组成的非线性电阻网络的故障诊断方程，这是以支路故障标志量为未知的一组线性代数方程。在推导非线性元件的“故障标志量”时，消除由工作点变化引起的电参量的变化，保留由伏-安特性变化引起的电参量变化，它标志非线性元件本身发生了故障；文章还提出一种神经网络，可在线快速求解非线性电阻网络的故障方程的解，从而可在线对故障进行定位。     

介绍一种测量大电阻的新方法

针对一般数字万用表测量200MΩ以内大电阻误差大、200MΩ以上大电阻无法测量的缺点，利用其输入电阻大、直流电压测量范围大的优点，研究出了能较准确测量200MΩ—几十GΩ大电阻的新方法，介绍了其测量原理。并对该法的测量范围和误差进行了分析。     

低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20／Cu的结构与磁电阻

采用磁控溅射方法，获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ｃｕ金属多层膜，在室温下，其磁电阻和层间耦合状态随Ｃｕ层厚度的增加呈振荡变化，在Ｃｕ层厚度ｔＣｕ＝１．０ｎｍ，２．２ｎｍ时磁电阻出现２个峰值分别为１９．４％和１１．７％，饱和场约为６．４×１０＾４Ａ／ｍ和８×１０＾３Ａ／ｍ低温下（７７Ｋ）磁电阻为３３．２％和２７．６％，系统地研究了ＮｉＦｅ层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响，用真空退火