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321.
利用在氨性条件下2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑对焦性没食子酸-H2O2-Co(II)体系的化学发光具有抑制作用,从而建立了测定2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑的流动注射分析方法,该法线性范围为1.0×10-3-1.0×10-4mol/L;相对标准偏差为3.6%;检出限为5.8×10-6mol/L. 相似文献
322.
在超出标准模型的新物理模型中 ,TC2模型是一个重要的候选者 ,其不仅提供了一种可能的电弱对称性破缺机制 ,并且可产生足够重的顶夸克质量 .TC2理论预言了三个 top介子πt± ,πt0 .top介子是 TC2理论中独有的可观察物理粒子 ,研究 top介子产生与衰变的可能的物理迹象对验证 TC2理论 ,探测新物理有非常重要的意义 .基于 TC2模型 ,我们研究了在高能正负电子对撞机上顶夸克和中性 top介子πt0 的产生过程 e+ e-→ ttπt0.顶夸克和中性 top介子有强的 Yukuwa耦合 ,它的形式为 :mt2 Ftνw2 - Ft2νw[KURtt KULtt* tLt Rπt0 + KUR… 相似文献
323.
本在顶色辅助的人工色(TC2)理论框架下,研究了中性toppion的产生过程e^-γ→e^-∏第t^0.结果表明这一过程的散射截面可达到几十个fb,并且在未来e^ e^-线性对撞机上中性的toppion介子的年事例数多于10^3个.因此,这一产生中性toppion的过程为我们探测toppion介子和检验了TC2模型提供了良机.另一方面,e^-γ→e^-∏t^0过程的散射截面比标准模型(SM)和最小超对称模型(MSSM)下的类似过程大一个量级(例如SM下的e^-γ→e^-H和MSSM下的e^-γ→e^-H^0(A^0,h^0)过程).因而,我们很容易把中性的toppion介子同SM和MSSM下产生的Higgs玻色子区分开来. 相似文献
324.
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxN,超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化.结果表明:低场时的漏电流很小;进入隧穿电场时,I—E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律;在更高的电场时,主要出现两种情形,其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿,其二是I-E曲线下移,偏离F-N关系,直至介质膜发生击穿.研究表明,I-E曲线随氮化时间增加而上移.文中对这些实验结果进行了解释. 相似文献
325.
标题化合物[Co(phen)(H2O)4](SO4).(H2O)2(phen=1,10-邻菲咯啉)在70%叔丁基过氧化氢水溶液中制备,X—射线单晶结构分析表明,该化合物的一个分子由一个四水合邻菲咯啉二价正离子、两个未配位的水分子和一个硫酸根离子构成。其晶体为正交晶系,空间群Pbca,相关参数为a轴8.856(1),b轴18.318(3),c轴21.918(5)A,V(体积)3555.6(11)A^3.Co^2 呈现稍微扭曲的八面体配位环境。 相似文献
326.
327.
328.
报道CeO2掺杂的SnO2基敏感材料的制备及其气体敏感性能的研究,结果表明,含5%CeO2和Sio2的SnO2基敏感元件在低温下对CO具有最高的灵敏度和良好的选择性。此外,对CeO2掺杂的SnO2敏感元件,在合适的CO浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论 相似文献
329.
新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4 总被引:3,自引:0,他引:3
采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相CdFe2O4,实验表明,CdFe2O4作为一种尖晶石型结构的复合氧化物,是电子导电型半导体,具有良好的酒敏性能.且有较好的化学稳定性和气敏稳定性 相似文献
330.
通过X射线衍射相分析、光电子谱分析及金相分析等手段,对B4C在铁基摩擦材料中的作用及机理进行了研究,结果表明,B4C在铁基摩擦材料加压烧结过程中能与铁发生反应,生成一种新相Fe2B.在摩擦磨损过程中,加入的B4C并没有直接起到摩擦组元的作用,而是通过生成的Fe2B起作用.在一般负荷工作条件下,Fe2B主要起摩擦组元的作用;在重负荷工作条件下,Fe-Fe2B共晶体起润滑组元的作用. 相似文献