Si雪崩冷阴极的电子发射特性

采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性，讨论了影响发射稳定性的主要因素。     

密码函数的一类递归构造方法

首先利用递归的方法证明了结构形式更为一般的布尔函数的 Walsh谱分解式，然后利用这类布尔函数Walsh谱分解式，给出了密码学和编码学中具有重要应用价值的一些布尔函数，如弹性函数、Bent函数以及满足严格雪崩准则的布尔函数的构造方法。     

雪崩光电二极管(APD)低温控制系统的风冷散热和保温层设计

本论文主要针对目前APD低温控制系统结构复杂、使用不方便的问题,提出了风冷散热和保温层设计,简化结构,为器件小型化提供了条件。     

基区调变晶体管的“交叉点击穿”

本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。     

自组织临界性模型———Bak2Sneppen 模型的研究进展及其展望

根据Bak-Sneppen模型的特点,从五个方面分析了它的研究进展,尤其是对各种情况下模型表现出的自组织临界性给出了详细的论述;分析了该模型在复杂性理论研究中的地位;最后,还对该模型的未来研究工作做了评述.     

用于高粒度时间分辨探测器系统上的低增益雪崩探测器原型的抗辐照性能表征（英文）

高粒度时间分辨探测器(HGTD)是ATLAS实验Ⅱ期升级的关键项目.为了应对极高的粒子径迹堆积带来的挑战(每次束流交叉对应的质子-质子对撞数的平均值可高达200)，合作组计划通过精确测量粒子径迹的时间信息(径迹时间分辨可达30 ps)，使得实验能够在“4维”空间中进行粒子径迹到作用顶点的关联.升级项目的传感器选择了可以提供所需的时间分辨率和良好的信噪比的低增益雪崩探测器(LGAD)技术.日本滨松公司(HPK)生产了厚度为35μm和50μm的LGAD原型.中国科学技术大学(USTC)也与中国科学院微电子研究所(IME)合作研发了厚度50μm的LGADs原型.为了评估器件抗辐照性能，样品在JSI反应堆设施中接受了不同剂量的中子辐照，并在USTC进行了测试.通过测量室温(20℃)或-30℃下的电流电压和电容电压曲线测量，对增益层和硅基体损伤的中子辐照效应进行了表征评估.进一步处理提取了不同辐照剂量下的击穿电压和耗尽电压，并呈现为通量的函数,最终对比了不同样品的抗辐照性能参数c系数和α系数.对辐照模型的最终拟合得到的c系数值为HPK-1.2:3.06×10^-16cm     

基于复合混沌与Rijndael的图像加密算法

提出了将Logistic映射、Henon映射和Rijndael加密算法相结合的数字图像加密算法.该方法先经Logistic混沌和Henon进行像素乱序和灰度置乱,然后用 Rijndael加密算法进行像素加密形成密文图像.理论分析和仿真实验表明该算法加密效果良好、密钥空间足够大,加密后的图像抗攻击性得到进一步地提高,有很...     

晶闸管高温特性的研究

晶闸管的结温规定为110℃～125℃,但这并不意味就是其极限工作温度,而是为用户规定了可靠的工作温度范围.针对晶闸管在高温使用时,特性变坏的情况,分析其原因,提出在半导体晶闸管制造过程中,采用合理的工艺手段、提高少子寿命和减少漏电流的方法,可防止使用温度过高,使结的漏电流增加,从而提高晶闸管的高温特性,并使正向转折电压尽量达到理论值,大大延长了晶闸管的使用寿命.     

遏制雪崩“杀手”

一片巨大的雪堆向下滑动，覆盖了一切。这是一场冬季的特大灾难吗?不是．这是一次在瑞士境内进行的试验．做试验的是一组科学家．他们决心去探究引发雪崩的秘密。迄今为止，雪崩仍然是人类一个不可预料、威胁性很强的杀手。本刊记者全线追踪了这次试验．带领读者去揭开雪崩的秘密。