宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

短肢剪力墙结构简化计算模型

根据短肢剪力墙结构的受力特点,建立了短肢剪力墙结构有限元分析的简化模型--考虑剪切变形的梁模型,并采用这种模型应用有限元分析软件ADINA对一算例进行抗侧刚度分析,与实验结果进行比较,结果表明该模型力学概念清晰,计算简单,而且具有较高的计算精度.     

《电磁场数值计算法与MATLAB实现》出版

由广西右江民族师专何红雨教授著的《电磁场数值计算法与MATLAB实现》于2004年1月由华中科技大学出版社出版，13．3万字，定价15元。该书十分详细地介绍了电磁场边值问题计算的数值积分法、有限差分法和有限单元法，通过实例着重介绍用MATLAB去实现边值问题计算的具体方法和步骤，既有理论深度又有可实现的具体操作性，是对本科生、研究生和教师都有用的一本好的参考书。     

中国一路伤芯

“集成电路1元的产值，将会带动电子电路产业10元的产值，同时会带动GDP100元的产值”。这是芯片领袖中流传了10几年的一个说法。从IT产业的整体发展来看，芯片已经成为该产业中符号性和主导性产品。     

预应力混凝土框架的反复荷载试验及有限元全过程滞回分析

本文进行了有粘结和无粘结预应力混凝土框架的反复荷载试验。结果表明,试件能够形成塑性铰;有粘结框架的耗能量大于无粘结框架,但无粘结框架的残余变形比有粘结框架小:试验后无粘结框架的预应力损失可略去不计,而有粘结框架在塑性铰处的预应力损失则达70%。本文提出的算法实现了预应力框架包括下降段在内的有限元全过程滞回分析,同时也可适用于非预应力框架。     

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

通用阵列逻辑GAL的破译软件

本文介绍与GAL器件破译仪主机运行有关的软件,包括异步通信程序模块、数据的二次处理和逻辑化简程序模块,以及菜单和附加功能程序模块。本文采取了一些措施,使破译时间得到减少。