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71.
Si_3N_4-SiC纳米复合陶瓷材料的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用粒度为 50~70 nm的纳米级 SiC粉体与微米级的 Si3N4粉体复合来制备 Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料,对纳米SiC含量不同的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织结构与性能的关系进行了研究。结果表明:纳米SiC质量分数为10%时,经热压烧结法制备的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的抗弯强度为 844 MPa,断裂韧性为 9. 7 MPa· m1/2。微观组织结构的研究还表明,纳米SiC的不同含量影响着基体Si3N4的晶粒形貌,从而决定了复合材料的性能。探讨了纳米级SiC在基体中的形态、分布及其对基体强化增韧的新机制。 相似文献
72.
在弹性圆筒理论和剪滞模型基础上提出了考虑界面相与界面层效应的力学简化模型。据此对纤维增强陶瓷复合材料完成了I型加载条件下的应力分析,它有以下特点:①引进界面层,各项分析所得结果均含有界面层材料性能及几何参量等信息,因而能更好地用于材料设计与界面调控工艺;②不仅给出界面剪应力,还可给出界面正应力(或剥离力),因而更适用于分析界面分离,界面脱粘,基体开裂临界应力和纤维桥联增韧效应 相似文献
73.
本文研究了供氧能力对土曲霉IFO-6365分批发酵生产衣康酸能力的影响。当通风比为0.5V.V.m,搅拌叶轮末端线速度为125.7cm/s时的最大衣康酸发酵产率分别是叶轮末端线速度为94.2cm/s和78.5cm/s的1.28倍和3倍;当添加氧载体──正十二烷,叶轮末端线速度为78.5cm/s时,与对照相比,可提高产酸14%,但在更高的叶轮末端线速度条件下,加入正十二烷,只能促进菌体的生长,对发酵产酸是抑制作用。 相似文献
74.
高储能密度电容器复合介质材料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对高储能密度电容器复合介质材料作了研究。采用介电陶瓷/有机聚合物作复合介质材料的实验中,研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系,研究发现,ε随陶瓷成分的增加而增大,并且存在一个临界组。 相似文献
75.
LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用改进的陶瓷烧结工艺,研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型LiNbO3陶瓷靶材的烧结工艺,解决了烧结过程中Li2O的外逸造成成分偏差和Li2O含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题,探讨了Li2O在烧结过程中的作用,制备出了高强度的LiNbO3+Li2O系列陶瓷靶材. 相似文献
76.
本文采用XRD,TPR和以H2,CO为探针分子的TPD—MS,TPSR-MS技术研究了Ni-CU合金负载于氧化物SiO2,MgO和γ-Al2O3上的性质变化,以及对CO加氢反应性能的影响。实验结果表明,各种载体对于负载于其上的活性组分均具有良好的分散性能;SiO2对金属相的结构和电子状态不产生影响,而γ-Al2O3和MgO对金属相则有不同程度的影响,这种相互作用主要表现在活性组分对H2和CO吸附能力的变化和CO加氢的活性和选择性的变化上。 相似文献
77.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备 总被引:2,自引:1,他引:2
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到 相似文献
78.
BaAl12O19高温热稳定材料制备方法 总被引:4,自引:0,他引:4
BaAl12O19是一种被用于高温催化燃烧的β-Al2O3型材料.在其制备过程中可采用柠檬酸盐无定形前驱体法.它在130℃的分解反映出硝酸盐与自由羰基的相互作用;360℃的分解对应于柠檬酸盐的氧化;在800℃时,BaCO3分解并生成BaAl2O4.BaAl2O4的产生并没有抑制BaAl12O19的形成.形成BaAl12O19的另一条途径是γ-Al2O3同分散相Ba2+之间的反应 相似文献
79.
林书玉 《陕西师范大学学报(自然科学版)》2006,34(1):27-31
对轴向极化压电陶瓷薄圆盘振子径向振动进行了理论和实验研究.推出了其机电等效电路,得出了振子共振和反共振频率方程,探讨了振子共振和反共振频率与材料参数之间的依赖关系,给出了压电陶瓷薄圆盘振子的共振及反共振频率与其泊松系数之间的解析关系.实验结果与理论计算符合较好. 相似文献
80.
V2O5和Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
采用固相法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷,研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对MgaNb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,采用1.5%V2O5和1.5%Li2CO3共掺杂,能够将Mg4Nb2O9(135O℃)陶瓷的烧结温度降至925℃,且有助于Mg4Nb2O9单相的形成.3.0%(V2O5,Li2CO3)共掺杂样品在925℃空气中烧结5h可获得良好的微波介电性能(介电常数为13.7,品质因数为77975GHz). 相似文献