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91.
简要介绍了纳米陶瓷及其独特的性能、纳米陶瓷粉体的制备以及纳米陶瓷的最新发展,重点介绍了在轴承工业领域中,纳米陶瓷的广泛应用。  相似文献   
92.
利用自蔓延高温合成原理(SHS)结合传统燃气喷涂技术,研究了反应热喷涂工艺制备的Al2O3.TiO2基金属陶瓷涂层的性能。结果表明,铝热反应热喷涂技术能够促进涂层性能的提高。涂层平均结合强度达17.50MPa以上,平均孔隙率降低到5.50%以下。  相似文献   
93.
用沉淀法合成了掺杂Y~(3 ),La~(3 )的CaSO_4:Eu~(2 )稀土发光材料,研究了材料的晶体结构和荧光光谱,根据实验结果,所制样品基本上属正交晶系、C_(2v)空间群,Eu离子在CaSO_4中的激发峰为基态到4f~65d(E_g),(T_(2g))激发态的跃迁;样品发射主峰位于383um,属于Eu~(2 )的~5P_(7/2)→~8S_(2/7)跃迁,说明样品中Eu离子主要以Eu~(2 )的形式存在。CaSO_4:RE(La,Y)本身没有荧光,Y~(3 ),La~(3 )掺入CaSO_4:Eu中未改变基质的晶型结构,但可增强CaSO_4:Eu中Eu~(2 )的荧光强度。  相似文献   
94.
介绍采用正交试验方法,通过数据处理,对影响工程陶瓷表面粗糙度的有关工艺参数进行分析比较,从而达到有效降低零件表面粗糙度的目的。  相似文献   
95.
静态自蔓延法制备内衬陶瓷喷嘴的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于静态自蔓延过程,采用A1一Fe2O3—CrO3燃烧体系,制备出变口径的内衬陶瓷层不锈钢喷嘴,其反应过程工艺稳定,内衬陶瓷层厚度均匀、致密、性能可靠。通过试验研究了影响工艺性能的因素,探讨了Al—Fe2O3—CrO3燃烧体系的燃烧机理,试验结果证实自蔓延反应是不平衡的过程,氧化—还原反应进行不彻底,陶瓷层的成分比较复杂。研究表明,与添加传统的SiO2、CaF2相比,采用一种新型的添加剂配方可显著提高陶瓷层的力学性能,改善其表面质量。  相似文献   
96.
以Al粉、K2ZrF6为原料,在KCl LiCl的融盐介质中,利用高温融盐热还原法在氮化硅陶瓷基体表面镀锆金属化膜;以XRD分析镀膜物相成分,并用SEM对试样表面、断面进行显微结构分析。结果表明:氮化硅陶瓷镀件表面镀膜外观呈银白色,并有有金属光泽;镀膜物质成分为Zr5Si3;镀层中无铝元素存在。  相似文献   
97.
使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290~310℃,N2气流量为200~350mL/min和H2气流量为450~600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。  相似文献   
98.
针对IP网络(如因特网)带宽随时变化的特性,传输视频时,为了有效地利用现有带宽,尽可能提高视觉质量,该文在MPEG-4精细可伸缩性视频编码(FGS)的选择性增强技术基础上提出一种基于运动矢量的自适应选择性增强算法。通过提取、分析基本层运动矢量,自适应地确定目标区域,并将结果在增强层编码用于选择性增强。使FGS编码实现基于内容的增强和优先传输感兴趣区域(目标区域)。实验表明该算法使目标区域在不同的码率下都能获得相对最佳的视频质量,适合网上视频监控之类背景静止而人们仅对场景中运动的人或物感兴趣的应用。  相似文献   
99.
对太行山地区铁矿进行了研究,分析了矽卡岩型铁矿的成因,并对矽卡岩型铁矿尾矿矿物组成及成分进行了分析,指出了此类尾矿的特殊性。还对其应用前景进行了简单的探讨,其中对尾矿还进行了几个方面的工业应用研究。  相似文献   
100.
Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=2/3)的聚合物前驱体法合成研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
以EDTA为络合剂,EG为酯化剂,利用聚合物前驱体法合成了Ba6-3xNd8 2xTi18O54陶瓷,研究了不同的EDTA与金属离子摩尔比对粉末结晶特性的影响,利用DTA,TG和XRD等技术分析了Ba6-3xNd8 2xTi18O54前驱体和得到的氧化物粉末,测试了由x(EDTA)/x(M)=1.00的前驱体得到的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2/3)陶瓷的微波介电性能。在900℃预烧x(EDTA)/x(M)=1.00的前驱体3h,单相的Ba6-3xNd8 2xTi^18O54(x=2/3)直接形成,没有出现中间相。1000℃预烧,1340℃烧结的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2/3)陶瓷具有最佳的微波介电性能:ε=87.1,Qf=8710GHz。  相似文献   
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