阴极微弧电沉积钇稳定氧化锆涂层

提出了一种新颖的阴极微弧电沉积技术（CMED）。利用该技术在FeCrAl 合金上制备出厚的钇稳定氧化锆（YSZ）涂层。研究结果表明,在试样上预先沉积YSZ薄膜，施加高压电脉冲时可以导致微弧放电；在微弧的作用下可以获得厚度达300μm具有晶态结构的YSZ涂层；高压电脉冲的电压值和频率决定了沉积涂层的厚度；电解液中添加硝酸钇时，发生ZrO2和Y2O3的共沉积，可使涂层中的t-ZrO2,t‘-ZrO2和c-ZrO2稳定到室温；提高电解液中Y（NO3）3的含量可以降低涂层中m-ZrO2的相对含量，研究了阴极微孤电沉积YSZ涂层的微观结构，分析了阴极微弧电沉积的基本过程及机理。     

碳化硅、氮化硅材料力学性能的研究

用电显微技术研究了纳米Si3N4-SiC复相陶瓷的显微结构，分析了显微结构与力学性能的关系。     

固相法制备含铋层状结构PBN压电陶瓷

研究了固相反应法合成PbBi2Nb2O9(PBN)层状结构压电陶瓷粉体的化学反应过程,发现固相反应主要发生在590,710,820℃·590℃时反应产物为Pb2Bi6O11、Pb5Bi8O17、Pb3Nb4O13及PBN;710℃时反应产物为Pb5Bi8O17和PBN;在820℃保温1h,可以获得单相PBN·PBN粉体在1080℃进行烧结,可获得相对密度达975%,组织细小均匀的PBN陶瓷·     

含金属间化合物的Al基合金半固态加压连接Si3N4陶瓷

用含金属间化合物Al3Ti或Al3Zr的Al基合金作连接材料,研究了半固态加压连接Si3N4陶瓷时接头的形成,以及Al基合金种类和连接压力对接头组织与强度的影响。结果表明:半固态连接可获得性能良好的陶瓷接头;连接过程中加压能提高连接层金属中耐高温金属间化合物的含量,达到提高接头高温性能的目的;连接压力适当时,接头在室温和600℃下的剪切强度可分别达到126～136MPa和32～34MPa,明显比用纯Al连接的接头强度高;在结合界面形成过程中,第二活性元素Ti和Zr也参与了界面反应。     

稀土陶瓷釉料的研究

利用我国资源丰富的稀土 ,结合瓷厂的釉料 ,研制了变色、着色新型稀土陶瓷釉料 .配合X—射线、差热分析确定其组成和烧结温度 ,并进行烧结温度、烧结时间、原料配比对成釉影响的研究 .     

掺纳米Al2O3的纳米8YSZ相变及电导率

掺8mol%Y2O3的纳米ZrO2粉体中加入0－5wt%纳米Al2O3，在1100℃、1200℃、1300℃不同温度下烧结2h，烧结样品在烧结温度达1200℃以上，掺1wt%以上的纳米Al2O3的四方相完全转变为立方相。初步探讨掺纳米Al2O3的8YSZ陶瓷烧结体相变机理及纳米Al2O3对8YSZ烧结体的晶参数和电导率影响。     

NZP族陶瓷材料的制备工艺及其性能研究进展

NZP族陶瓷是一类热膨胀系数可设计的低热膨胀材料 ,综述了NZP族陶瓷材料的制备工艺 ,较全面地总结了前人对这类材料性能的研究工作 ,展望了未来的研究方向     

塑性高温活性钎料的研究

根据液相线温度t≥ 110 0℃、冷变形总量ε总 ≥ 40 %要求设计了PdNiTi系、AuPdNiTi系列高温活性钎料 ,对 2种钎料系列的熔化特性、加工性能、润湿性进行了实验研究 .结果表明 :PN - 2 ,APN - 2高温活性钎料具有良好的塑性变形能力 ,对结构陶瓷具有优异的润湿性 ,可直接钎焊结构陶瓷和结构陶瓷 /金属组件     

纳米陶瓷的性能及制备技术

从微观结构、性能、制备技术等方面详细地介绍了纳米陶瓷的扩散及烧结、超塑性和纳米陶瓷的增韧 ,分析比较了纳米陶瓷的各种制备技术 ,指出了脉冲电流快速烧结法为纳米陶瓷的制备提供了一种新途径     

二氧化锆及其复相氮化硅陶瓷

分析了二氧化锆的性质及氧空位对二氧化锆相变的影响,讨论了二氧化锆韧化氮化硅陶瓷的影响因素,提出了二氧化锆韧化氮化硅陶瓷时避免氮化锆生成、促进复相氮化硅陶瓷烧结的途径.