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201.
研究了Ti-C-Ni系添加剂对(TiO2-Al-C)-(Ti-C-Ni)复合体系化学反应热力学特性的影响。结果表明,单位质量热效应△H与Ti-C-Ni系在复合体系中所占质量比k之间存在着严格的线性关系,其斜率仅由Ni在Ti-C-Ni系中所占质量比γ决定,而截距为一常数,等于TiO2-Al-C单位质量热效应。当γ<γ0=45.79%时,Ti-C-Ni可提高其绝热燃烧温度。当γ=0.1时,复合体系绝热燃烧温度基本上随添加量k增加而呈线性增加。  相似文献   
202.
郑振华 《科学通报》1995,40(2):187-187
半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO_3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.  相似文献   
203.
在10K~300K温度范围内研究了Ba2TiSi2O8和Sr2TiSi2O8极性玻璃陶瓷的个电和热释电性.Ba2TiSi2O8玻璃瓷的室温热释电系数达到-7.0×10-6C/m2、K,具有良好的低温热释电性.含SrTiO8结晶的Sr2TiSi2O8极性玻璃陶瓷的室温热释电系数仅为-1.8×10-7C/m2·K,而且其绝对值在100K以下较快地变小,并在40K以下出现正值,它可能是由于SrTiO8结晶发生结构相交的结果.  相似文献   
204.
采用表面活性剂来处理莫来石陶瓷表面可以降低液态铝在陶瓷表面上的接触角θ.由θ>90°转为θ<90°,导致液态铝对陶瓷表面的润湿。  相似文献   
205.
测定了无压和热压烧结两种β’-Sialon陶瓷的抗热震性能,计算了两者的抗热震参数,发现热压烧结β’-Sialon的抗热震断裂能力优于元压烧结β’-Sialon,而抗热震损伤能力却劣于后者。SEM分析和理论推导认为,除了力学性能的影响之外,显微结构中微裂纹数量及尺寸直接影响了材料的抗热震性。无压烧结β'-Sialon显微结构中微裂纹数量及尺寸均大于热压烧结β'-Sialon,这有利于无压烧结材料抗热震损伤能力的提高,但不利于其抗热震断裂能力的提高。  相似文献   
206.
本文使用SEM、EDS、EAS、XRD和电阻率测量技术,研究了工艺参数和加入(Co,Fe2O3)对PTC(V1-x,Crx)2O3陶瓷的显微结构和电性能的影响。实验结果表明,为了制造优良性能、高可靠的热敏电阻器,必须精确控制陶瓷组份和工艺。引人象C。这样的添加物是重要的,它主要以金属形式分布在基体中,同时发现添加物对试样致密度和电性能的影响也是有益的。  相似文献   
207.
从山西陶瓷企业的发展优势着眼,深刻分析了目前山西陶瓷企业存在的问题,在此基础上提出了山西陶瓷企业可持续发展的战略举措。  相似文献   
208.
作为特殊的硬脆工程材料,陶瓷零件的表面性能对表面应力状态非常敏感,残余压应力在一定程度可以提高零件强度和表面性能,尤其是提高断裂强度,残余拉应力的作用则相反;磨削参数的选择和磨削温度对残余应力有很大的影响,改善磨削条件可以改善表面性能,在一定范围内加大磨削深度、降低磨削温度有利于产生对表面性能有益的残余压应力。  相似文献   
209.
爆胎充气点火引信的压电电源   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了使爆胎充气点火引信的电源满足小型化、高能量密度和使用周期长等技术要求,以P!5A4为材料设计了一种压电陶瓷电源.理论计算和实验测试表明,在爆胎充气点火时,所设计的压电陶瓷电源能够为点火引信提供足够的能量.  相似文献   
210.
研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律. 结果表明, PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场EF = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E<EF, 则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场EDF = 9.9 kV/cm. 如EEK= 4.9 kV/cm, 则电致裂纹并不瞬时形核, 只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离, 但试样也不会发生断裂. 如E<EDF = 2.4 kV/cm, 即使长时间施加电场, 裂纹也不形核. 导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大, 当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核.  相似文献   
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