溅射用铁电陶瓷靶的烧结与显微结构分析

探讨了溅射用铁电陶瓷靶（ＰＺＴ，ＰＬＺＴ）的烧结工艺，并对其显微结构进行了分析。结果表明，采用新的烧结工艺（含保护措施），可以有效地抑制ＰｂＯ的挥发，制备出组织结构及成分均匀、ＰｂＯ含量正常、致密度较高、不变形的符合磁控溅射要求的铁电陶瓷烧结靶。     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．     

稀土α′＋β′──sialon陶瓷烧结过程研究

本文用一个特殊膨胀仪对加稀土氧化物添加剂的α′＋β′──ｓｉａｌｏｎ陶瓷在高氮压烧结（ＧＰＳ）下的烧结行为进行了研究．结果表明，致密过程受添加剂种类和烧结温度的影响相当大，在１５００℃等温烧结时速度控制阶段为扩散阶段，且以Ｓｍ２Ｏ３为添加剂的陶瓷最易被致密．同时，对烧结中与烧结过程有关的显微结构特征亦进行了讨论．     

铁电陶瓷PMN—PT在室温附近的退极化致冷效应

本推导了有序熵变化量及温度变化量与外加电场大小，操作温度和材料居里常数之间的关系，在室温附近，对铁电陶瓷ＰＭＮ－ＰＴ的致冷效应进行了测量验证，与理论推导的结论定性吻合，在１６ｋＶ／ｃｍ电场下再退极化，可产生２Ｋ的温度变化，本并对此效应作了初步的解释。     

陶瓷—金属界面的垂直微裂纹问题

本文把陶瓷—金属界面看做是在陶瓷基体中包含的圆柱形金属夹杂，在夹杂半径趋近无穷大时的极限情形．采用位错连续分布理论，给出了平面应变条件下圆形夹杂两侧的半裂纹的位错密度函数及应力强度因子的解析表达式．让圆形夹杂的半径趋向无穷大，便可得到陶瓷—金属界面的垂直微裂纹的有关结果．根据所得结果，分析了陶瓷和金属材料的弹性模量及热膨胀系数的差异对于其焊接界面微开裂的影响．所得结论对于陶瓷—金属的焊接工艺有指导意义．     

氧化物陶瓷与Ag—Cu—Ti钎料的界面反应

研究了氧化铝和氧化锆陶瓷真空钎焊时陶瓷与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ钎料合金的界面反应，分析了加热温度（１０７３－１３２３Ｋ）和保温时间（０－３．６ｋｓ）对界面反应的影响规律。扫描电镜和Ｘ射线分析结果表明：两种陶瓷均与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金发生反应，反应层厚度随着漫画度和时间的增加而增加，对于氧化铝陶瓷，低于１１２３Ｋ时，反应产物为Ｃｕ２Ｔｉ４Ｏ和ＡｌＴｉ；在１１７３Ｋ以上温度时反应产物则为Ｔｉ２Ｏ，ＴｉＯ和Ｃ     

强非线性铁电陶瓷的电致伸缩效应

本文通过热力学自由能函数说明了电致伸缩效应唯象理论及其在各向异性强非线性铁电晶体中的应用。实验发现,菱方相纯PZT陶瓷组分的主要场诱应变效应是电致伸缩效应,可用x—P关系的二次方律来描述。但相界附近的四方相PZT陶瓷组分和PLZT组分,压电效应分量明显增大,其电致伸缩效应已呈现明显的四次方效应。可以预期,PZST系统的主要机电耦合效应是电致伸缩效应,其电场诱导应变是极化强度的高偶次方函数。     

PM40电脑温度控制仪软件

本文解剖分析了用于窑炉控温的意大利RM40型电脑温度控制仪(以下简称RM40)的软件.RM40采用Z80CPU,为微机控制方式.程序存贮量为4k,由23个子程序组成.它具有响应快、精度高、掉电记忆、自动报警、稳定性好、调整方便等优点,还可与外设主机联络,是国内外目前控制窑炉温度的理想设备.掌握工作原理及设计思想,有利于维修及逐步实现国产化.     

径流式涡轮三维温度场分析

高温径流涡轮承受很高的热应力,新一代的陶瓷涡轮由于燃气初温高,以及材料固有的热脆性,使温度场、热应力的研究在陶瓷涡轮的设计中更占有重要的地位。本文用三维有限元法分析了陶瓷和金属材料的径流涡轮温度场。为了确定热传导边界条件,作者用准正交面流线曲率法确定势流流场,接着用边界层能量积分方程计算了叶轮壁面的放热系数,从而建立了一个从径流涡轮流动计算到温度场分析的软件包。计算结果表明,温度梯度的最大值出现在近叶片根部。此外,气流出口处的轮毂部分温度梯度也较大。这些地方将是应力集中区。     

二元周期序列的计数

以组合计数理论为基础，推导出特殊序列（自互反序列和自互补序列）计数公式和排除等价序列（互反、互补序列）后的本原周期序列计数公式，使搜寻可用序列的基序列数目约缩为原来的１／４，进一步，应用Ｓｔｉｒｌｉｎｇ浙近公式求出当周期较大时各种特殊序列数目的的比例关系，所导出的公式不仅完善了公用控制的设计理论，而且使长周期可用序列的搜寻工作量减少到近１／４。