锶锆共掺杂对钛酸钡陶瓷结构和介电性质的影响

采用固相反应法制备了(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3(x=0.10,0.15,0.20,0.25)陶瓷.通过X射线粉末衍射、介电温谱测试和电子顺磁共振技术对其进行了结构表征、介电性能评价和杂质定性检测.结果表明:(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3陶瓷显示平均立方钙钛矿结构,随着...     

一种新型空调机空气清净系统研究

介绍一种采用压电陶瓷变压器高压电源、吸尘电极及单片机控制构成适合空调机的空气清净系统,取代现有空调机的进气防尘网及空气清新等装置.吸尘电极将电离室、吸尘、空气清新及进气通道融为一体,实现空气清新、气流循环、吸尘等多种功能.以压电陶瓷变压器为升压元件的高压电源,具有恒压、短路自动保护等特点.     

烧结温度对钛酸锶铋陶瓷结构和性能的影响

使用溶胶-凝胶法制备了SrBiTi4O15陶瓷,并给出了各烧结温度下样品的电学性能,研究结果表明烧结温度为1100℃时材料的电学性能较好.     

电解液中Ce(NO_3)_3/Ce_2(SO_4)_3的含量对Ti6Al4V合金微弧氧化膜层特性的影响

在硅酸钠-氢氧化钠电解液中以Na5P3O10作为稳定剂,通过改变Ce(NO3)3/Ce2(SO4)3的含量对Ti6Al4V合金进行微弧氧化,用XRD、SEM、EDS对试样表面所获得的氧化膜进行表征,并研究电解液中不同Ce(NO3)3/Ce2(SO4)3含量对氧化膜表面形貌的影响.结果表明,随着电解液中Ce3+的加入量增加到0.3 g/L,氧化膜表面的致密性减小,在此基础上加入0.5 g/L的Na5P3O10时,氧化膜致密性增加.EDS分析结果显示,膜层含有Ti、Na、Al、Si、P、O及Ce等元素;XRD分析结果表明,氧化膜的相组成为Ti、锐钛矿以及金红石.     

氧化铝陶瓷基板无钯活化化学镀镍新工艺

研究了一种廉价且易于在氧化铝陶瓷上进行化学镀镍的无钯活化新工艺.以氧化铝陶瓷为基体,先通过碱处理进行改性,再通过热处理在陶瓷基体表面制备镍微粒,最后进行化学镀镍.通过单因素分析法研究了活化液浓度、活化温度及活化时间对活化效果的影响,采用扫描电镜观察基体各阶段表面形貌,并对活化后基体进行了能谱分析,通过热震试验对镀层的结...     

Pb(Zr, Sn, Ti)O3反铁电-铁电陶瓷热释电谱

改性Pb(Zr,Sn,Ti)O₃ 反铁电-铁电陶瓷存在着多种晶体结构, 随着温度变化会发生相变而影响材料的性能. 研究了铌改性Pb(Zr,Sn,Ti)O₃反铁电-铁电陶瓷温度诱导相变中的热释电效应. 结果表明, 温度诱导相变引起电荷突变形成尖锐的热释电峰, 热释电峰的形状和位置取决于相变的类型和温度. 组分和初相态变化导致的不同相态变化过程形成峰形和峰位不同的热释电谱. 热释电谱不仅可以显示极化强度随温度的变化情况而且可以测定出弱的次级转变, 如在介电温谱中难以观测的反铁电AFE_A-AFE_B 铁电FE_L-FE_H 之间的相态转变在热释电谱中都有明显的热释电峰. 作为一种弱电测量方法, 热释电谱可以完整地反映Pb(Zr,Sn,Ti)O₃ 反铁电-铁电材料相态随温度变化的情况.     

氧化锆陶瓷微尺度磨削表面质量试验研究

为提高氧化锆陶瓷零件微细加工过程中的加工表面质量,改善氧化锆陶瓷零件的使用寿命,采用0.9 mm磨头直径、500#磨粒的微磨棒对氧化锆陶瓷进行微尺度磨削三因素五水平正交试验.首先通过极差和方差分析,研究了磨削参数影响氧化锆陶瓷表面质量主次因素;其次优化出获得较低表面粗糙度值的工艺参数组合;最后通过单因素试验研究氧化锆陶瓷磨削表面粗糙度随磨削参数的变化规律.结果表明,磨削参数对表面粗糙度影响顺序依次为:磨削深度、进给速度、主轴转速;当主轴转速v_s=40 000 r/min,进给速度v_w=20μm/s,磨削深度a_p=3μm时,表面粗糙度最小;表面粗糙度随主轴转速增大呈先下降后上升的趋势,随进给速度和磨削深度的增大而增大.     

高能球磨制备0.3BiFeO3-0.7SrBi2 Nb2O9陶瓷及其介电性能研究

采用高能球磨制备0.3 BiFeO3-0.7SrBi2Nb2O9陶瓷.利用XRD和SEM分析球磨时间对粉体物相结构及微观形貌的影响.结果表明:随球磨时间的增加,粉体结晶度提高,颗粒不断细化,但在22.62°处有杂峰出现,经700℃退火杂峰消失.高能球磨制备的陶瓷的介电常数较传统固相反应制备的陶瓷提高30左右.     

CuO添加对0.2(Na0.5La0.5)TiO3+0.8CeO2复合介质陶瓷微波性能影响的研究

采用固相合成法制备CuO掺杂的0.2(Na0.5La0.5)TiO3 0.8CeO2复合微波介质陶瓷材料.研究了CuO对该复合体系的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.研究表明,CuO有效地降低了该复合体系的烧结温度,改善了体系的微观结构.随CuO含量的增加,体系的介电常数εr和Qf值均不断下降.当CuO的掺入量为0.25%(质量分数),在1 400℃烧结,保温2.5 h的条件下,在该复合体系中可得到εr=39.1,Qf=15130 GHz的最佳微波介电性能.     

SiC陶瓷化学镀Ni及SiC/熔融Cu界面润湿性研究

利用化学镀Ni法在SiC陶瓷表面获得镀Ni层,借助SEM、XRD、XRF及热震循环实验等对镀Ni层的微观组织、物相组成及结合性能进行表征,重点研究了熔融Cu在相关基板上的润湿性能。结果表明,在镀液温度为65℃、pH值为9、施镀时间为30 min的条件下,SiC陶瓷表面镀Ni层最佳,能显著改善熔融Cu在SiC陶瓷基板上的润湿性。