晶体管群放大器的设计

对群放大器的技术要求进行了分析,指出了设计的构思和考虑,得出了总体电路和各元件值,并进行了讨论.     

运算放大器的稳定性的研究

按自动调节理论的观点,研究运算放大器的稳定性及镇定问题。     

SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计

采用两级锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA).仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 dB,噪声系数NF<0.78,增益平坦度Gain Flatness<0.2 dB,输入输出回波损耗Return Loss<-10 dB.实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 dB左右,其它指标基本一致,证实了采用SiGe HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性.     

基于新型E类放大器的磁耦合谐振式无线传输在负载变化时效率的研究

研究了在负载变化时的新型E类放大器磁耦合谐振式无线电能传输系统的效率。首先,对新型E类放大器进行了理论分析和数学建模。然后,通过在新型E类放大器上采用前端阻抗转换器实现了放大器的开关管的ZVS、ZDS条件;并采用后端阻抗转换器实现了负载变化时效率的稳定性。最后,通过MATLAB对该系统进行仿真研究。仿真结果表明,在新型E类放大器中加入双端阻抗转换器后,放大器在负载变化的情况下,负载效率更加稳定。     

阻变存储器读电路的优化设计

随着阻变存储器高阻态和低阻态间阻值窗口的减小,电流型灵敏放大器的读正确率降低.设计了一款电压型灵敏放大器,应用在读电路中,有效地解决了这一问题.该电压型灵敏放大器电路结构简单,经SMIC0.13μm下流片验证,它的读出时间为125ns,面积仅为756μm2,功耗为41.25μW,读窗口为260mV,相比电流型灵敏放大器50mV的读窗口有了很大的改进.     

基于反馈控制的全光时钟分频器

本文分析并演示了一种基于半导体光放大器(SOA)的全光时钟分频器结构.通过分析其结构功能并与D触发器比较,得出其工作原理可类比于D触发器的输出反馈控制输入端信号而实现的分频过程,并在时域上进行了说明.实验中从一路20 GHz的光时钟信号出发得到了10 GHz的光分频时钟信号,同时考察了其工作频率和SOA的载流子恢复时间的关系.经实验验证,该系统结构简单,使用方便,性能稳定,具有较好的实用价值.     

光限幅材料研究进展

光限幅材料能够保护精密的光学元件和人眼被激光损伤,这种材料已经越来越多地受到科学家的关注.近年来,各种各样的具有光限幅效应的材料已经被广泛应用于科研领域及人们的日常生活实践中,如无机纳米粒子、有机金属配合物、有机小分子、高聚物以及新型碳类材料等.本文主要对近期较受关注的具有较好光限幅性质的材料,及其作用机理和研究进展进行了探讨,并对未来可能出现的新材料进行了展望.     

5.8GHz CMOS全集成低噪声放大器设计

针对目前在LNA设计中存在需要在任意给定的功耗条件下噪声和输入阻抗同步匹配的问题,本文采用TSMC0.18μm RF工艺,通过利用共源共栅结构和功耗受限下噪声和阻抗同步匹配技术(PCSNIM),提出了一个可支持IEEE802.11a无线局域网(WLAN)标准的5.8GHz CMOS低噪声放大器,在中心频率处所提出的低噪放大器的噪声系数(NF)只有0.972dB。仿真结果表明:在1.8V供电电压下LNA的功耗为6.4mW,增益可达17.04dB,输入1dB压缩点(P1dB)约为-21.22dBm,同时具有良好的输入输出匹配特性。