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991.
本文研究了实验室条件下无氰镀银的方法和应用及防银层变色方法,以得到性能优良的抗硫层。通过实验可知,以硝酸银作主盐、磺基水杨酸和咪唑作络合剂、醋酸钠和碳酸钾作导电介质,常温下,电流密度0.1~0.2A/dm2,电镀时间10~20min等条件下电镀,可获得结合紧密、外观平整、光滑的银白色镀银层。  相似文献   
992.
碳纤维增强铝基复合材料(Cf/Al)因为其潜在的高比强度、高比模量等优异的力学性能,在航空航天等工业领域有着极广泛的应用前景。本文采用挤压铸造法制备了增强相体积分数为50%的Cf/Al复合材料,并对其微观组织、比强度和比模量进行了研究。实验结果表明:复合材料组织致密,增强体分布均匀;Cf/Al复合材料具有较高的比强度和比模量,分别达到302MPa·cm~3/g和104GPa·cm~3/g,高于传统铝合金、镁合金等结构材料。  相似文献   
993.
对中硅耐热铸铁中碳硫含量进行了分析及研究,并对坩埚的选择与保存、助熔剂的选择、分析时间的设定及试样的称量都作了较详细的研究,这是一种利用红外碳硫仪及坩埚测定中硅耐热铸铁中碳硫含量的一种快速灵敏的方法。通过试验获得了最佳的分析条件,测碳硫的RSD<1%,结果令人满意。  相似文献   
994.
以平面30 m×30 m,矢跨比分别为1/6,1/7,1/8和1/9的椭圆抛物面单层网壳为对象,利用ANSYS非线性动力软件,研究其弹塑性动力失稳。计算中考虑几何和材料非线性效应,并对几何缺陷、阻尼、不同地震波及其输入方向等对稳定性的影响进行了分析。结果表明:该结构的动力失稳一般伴随着较大的塑性变形,具有明显的突发性;在水平地震作用下动力稳定临界荷载明显低于竖向地震作用下的临界荷载,以两向地震作用下最低;在水平地震作用下,较大矢跨比时动力稳定临界荷载较低;杆件截面的增大可显著提高该结构的水平刚度和动力稳定临界荷载;几何缺陷能显著降低网壳结构的动力稳定临界荷载;考虑Raleigh阻尼模式,其临界荷载提高不足7%。  相似文献   
995.
基于分布式系统三层体系结构之中间件   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了中间件技术的发展及优势,以及基于分布式系统中间件的设计.在文中介绍了一个实用的基于中间件的校园管理系统的中间件的设计方案.  相似文献   
996.
采用失重分析、金相分析等实验方法研究了高硅铸铁的组织及在不同环境下的耐腐蚀性能。实验结果表明,高硅铸铁在各种腐蚀介质中均有良好的耐蚀性,腐蚀溶液的浓度对高硅铸铁的腐蚀速度有较大影响。高硅铸铁在同样浓度的酸性环境中的耐蚀性比在碱性环境中好,在中性盐环境中的耐蚀性则居两者之间。  相似文献   
997.
研究在流动氮气和埋炭条件下铝热还原氮化TiO2的反应过程,借助于X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别测试和观察两种气氛中不同温度下处理后产物的物相组成和显微结构。结果显示,与流动氮气氛下一样,在埋炭气氛下采用铝热还原氮化法可以制备氮化钛复相材料,但处理气氛明显影响着铝热反应的程度及产物的形貌,在埋炭条件下处理后的产物中氮化钛含量、晶粒大小、晶格常数明显低于流动氮气氛下处理产物中上述各项值;热力学计算发现埋炭条件下铝除参与铝热还原反应外,还与炭粉床中氧发生反应,使参与铝热反应的金属铝不足,造成产物中有剩余的金红石存在。  相似文献   
998.
在硅基半导体中埋置的硅量子点因量子限域效应而具有光致发光的性能,是一种实现硅基光电集成很有前途的材料.文章介绍了此类复合薄膜的可控生长,并对其发光进行了研究.  相似文献   
999.
为提高完全集成低压低功率DC/DC转换器转换效率与输出电流能力,提出了一种多层混联螺旋电感结构.该结构基于标准0.5μm 2P3M CMOS工艺,将下面较薄的两层金属线圈多点并联,再与最上层金属线圈串联.多点并联结构有效地增加了等效金属层的厚度,串联结构增加了线圈之间的互感值,从而可以在不增加额外工艺成本的条件下显著提高平面电感的品质因数、单位面积电感值和电感线圈的电流承受能力.所提出的模型为完全集成DC/DC转换器的整体电路模拟分析提供了便利基础.基于0.5μm2P3MCMOS硅衬底工艺的模拟计算结果表明,在DC/DC转换器工作频段50~400MHz,取得了预期电感的设计效果,最大品质因数值达4.2,单位面积电感值达到83mH/m^2,可以承受的电流达90mA.电感芯片测试结果与模型模拟结果基本吻合.  相似文献   
1000.
用铝渣和石灰对铁水预脱硫的热力学   总被引:2,自引:1,他引:2  
通过热力学计算分析了Al在铁水中与氧和硫反应的平衡活度,当CaO和Al同时加入铁水中,适量的Al会提高CaO的脱硫能力.探讨了在Al的参与下,CaO作为脱硫剂时的脱硫热力学反应机理,以及Al2O3和CaF2对铁水脱硫的作用.  相似文献   
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