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911.
在优选喷焊工艺条件下,对几种自熔性合金粉末的喷焊层的相对耐磨性进行试验分析,再与其他几种涂敷层进行比较,以寻求耐磨性较高的喷焊层,为优选抗磨零件的强化工艺提供依据。 相似文献
912.
层合板壳问题的哈密顿体系与哈密顿型广义变分原理 总被引:1,自引:0,他引:1
邹贵平 《上海大学学报(自然科学版)》1996,2(2):119-128
本文将哈密顿体系的理论与方法引入到层合板壳问题之中,建立了一种统一的哈密顿型广义变分原理,并由此给出了层合板静力及弹塑性分析的哈密顿正则方程和边界条件,且通过变换相变量,进而给出了曲线坐标系下层合圆柱壳问题和层合双曲壳问题的哈密顿正则方程及其相应的边界条件 相似文献
913.
介绍二种新型熔铝锌铁坩埚材质-含Cr、Re等元素的低合金铸铁。这种铸铁不但合金含量少,生产成本低,而且坩埚使用性能优良。工作试验结果表明,新材质制造的坩埚使用寿命是普通铸铁塔埚的2-3倍。 相似文献
914.
衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对nc-Si:H薄膜的结构性能的影响。结构表明随着衬底温度从240℃升高到320℃,薄膜的晶态率从24%增大为65%,平均晶粒尺寸从6nm增大为10nm。当衬底温度≤200℃时,生成薄膜为a-Si:H薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。 相似文献
915.
徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,34(3):269-276
采用紧束缚方法计算生长在GexSi1-x合金面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Sj2)4/(GaAs)的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。 相似文献
916.
黄小清 《华南理工大学学报(自然科学版)》1995,23(4):16-20
用动态松驰法研究了铺层顺序邓受均匀单轴压力的不对称十字叠层圆柱微曲板稳定问题的影响。数据结果表明,压弯耦合刚度系数的符号对该类叠层微曲板的稳定性性的影响是显著的。 相似文献
917.
铝—铬天青S—溴代十六烷基吡啶三元配合物结构的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
杨晓秋 《辽宁大学学报(自然科学版)》1995,22(3):11-15
本文用平衡移动法和直线法测得Al:CAS的配位比为1:2,用等摩尔连续变化法测定Al:CPB的配位比为1:4,因此配合物的组成比Al:CAS:CPB为1:2:4,用电泳和离子交换实验证明了Al-CAS-CPB为配阴离子,最后根据铝和CAS在最佳pH值的存在形态、配合物的组成比及配阴离子的性质。 相似文献
918.
组分调制多层膜(ML)是由两种不同组元的纳米量级的薄膜交替沉积形成的,它有两个重要的结构特征:纳米级的调制周期和高密度界面。这种独特结构使得ML具有很多独特的性能,在应用及基础研究上都具有重要意义。ML在垂直膜面方向的层状结构在X射线辐照下也产生Bragg衍射,但它产生的调制峰出现在低角位置(2θ<10°)。调制峰包含多层膜的结构信息。本文报道了用低角X射线衍射(LXRD)对不同系列的多层膜的研究结果,结合光学原理精确地确定了其平均调制周期、平均成分,对界面粗糙度进行了评估,同时还 相似文献
919.
Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道. 相似文献
920.
纳米硅薄膜的扫描隧道显微镜研究 总被引:3,自引:2,他引:3
纳米硅薄膜(nc-Si:H)是由纳米尺寸超细微晶粒构成的一种纳米材料。其晶粒所占体积百分比为50%,其它50%则为大量晶粒之间的界面原子所占据,而界面对纳米材料的结构和物性具有重要作用。由于纳米硅薄膜结构上的新颖性,使它具有一系列不同于同类物质晶态材料或非晶态材料的特殊性能,有利于在器件中的应用。 相似文献