基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计

对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真仿真结果表明，在具有相同的跨阻增益条件下，基于0.18 μm CMOS工艺下 shuntfeedback型跨阻放大器无负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为3.1 GHz，而具有负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为4.3 GHz，两者相比带宽性能约提高了40%该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积，在实践上具有一定的可行性     

超薄铝带坯快速连续铸轧浇嘴内腔结构的水模拟研究

为了能研制新型超薄快速连续轧机的浇嘴系统，分析其内部铝液的液动状况，建立其流动的数学模型，对现有浇嘴系统提出改造方案，根据国内某厂的资料和参数，设计并制造了浇嘴系统模型，通过在模型腔内适当设置纵向和横向阻流坝的水模拟研究，优化了浇嘴内部的结构，为铝液流动数学模型的建立提供了数据，并提出了改造方案．     

硅磁敏二极管的负阻振荡特性研究

本文描述了重掺杂的2DCM硅磁敏二极管负阻振荡特性,给出了振荡电路所产生的锯齿波的频率范围为373mHz-94.0KHz,且给出了振荡频率随温度和磁场变化规律。利用这些特性制成变容器件或测量温度和磁场的复合传感器,在现代MEMS技术中具有很高的应用前景和学术价值。     

Co—Ag／Ag颗粒型多层膜中的巨磁电阻效应

研究了Co－Ag（1．8nm）／Ag多层膜的巨磁电阻效应，发现随Ag层厚度的增加，ΔR／R先增加后减小；而且当Co的含量增加时，ΔR／R的峰值向Ag层较厚的方向移动.磁电阻的上述行为是由于相邻磁层中近邻的Co颗粒之间的反铁磁耦合引起的．对于Ag层厚度固定的Co－Ag／Ag多层膜，当Co的含量较低时，ΔR／R随着磁性层厚的增加而单调增加；当Co的含量较高时，ΔR／R在磁性层厚度为2.2nm处有一极大值，这表明在Co－Ag／Ag多层膜中分流效应有重要作用．     

基本放大器和高性能放大器的分析

介绍用集成运算放大器（цA741）组成的基本放大器和高性能放大器的理论分析及调试方法。理论分析了反相放大器、差动放大器的闭环增益、输入阻抗、输出阻抗。并介绍几种典型的应用放大器：由цA741组成的基本放大器、T型网络高输入阻抗放大器、自举高阻反相放大器；基本差动放大器；高基模范围的差动放大器。对这些实际电路的调整方法做了重点介绍，调试准确无误。     

圈闭含油气性信息灰色聚集ART网络聚类评价法

对某地托库测区 1 0种物探综合信息 ( 72× 2 4× 1 0 )进行油气圈闭性评价 ,采用信息灰色聚集法压缩信息形成灰色聚集样本属性 ,采用 ART网络聚类法自动对聚集信息进行聚类分析 ,达到圈闭含油气性评价的目的 .该方法具有智能化程度和可信度较高的特点     

重复过流冲击下IGBT的性能退化研究

实际应用中,功率变流器经常会发生过流,重复的过流冲击会造成其功率器件绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的性能退化,并形成累积损伤,最终导致失效,而突然的失效会带来经济损失和安全问题,故需对重复过流冲击下IGBT的性能退化进行研究,建立相应的在线监测方法.针对目前对IGBT在重复过流下性能退化的研究较欠缺,搭建了过流冲击的实验平台来实现IGBT的重复过流冲击实验;采集重复过流冲击过程中IGBT外部端子的电气量,并提出相应的新的性能退化指标——导通电阻.结果表明:重复过流冲击会造成IGBT的性能退化,影响其外部电气特性;提出的退化指标——导通电阻明显地表征了IGBT内部累积损伤的程度.     

基于MATLAB的发酵液恒压过滤比阻计算方法——以解淀粉芽孢杆菌Q-426发酵液为例

介绍了用MATLAB的Curve Fitting Toolbox计算解淀粉芽孢杆菌Q-426发酵液恒压过滤比阻的方法。通过在图形界面下导入恒压过滤实验数据及平滑处理、采用平滑样条拟合数据以及数值微分等操作,确定了解淀粉芽孢杆菌Q-426发酵液恒压过滤的滤饼比阻。研究表明,该方法运行可靠,无需编程,易于掌握。与传统计算方法相比,操作更为便捷,强有力的图形界面也使计算变得更加简单而直观。     

页岩气双二维水平井极限延伸能力研究

页岩气藏的开发多采用水平井,水平段的延伸能力直接影响到页岩气藏的综合开发效益。双二维水平井具有施工难度小、邻井碰撞风险低、作业费用低等优点。根据长宁页岩气的钻井实际情况,分析了钻机承载能力、钻柱安全系数、地层承压能力及额定泵压等因素对水平井延伸能力的影响,推导了相应计算模型。以长宁已钻页岩气井为基础,计算了不同影响因素随水平段长度的变化。研究表明,双二维水平井的延伸能力主要受地层承压能力和额定泵压影响,钻井施工中应选择合理的钻井液密度和排量,降低水平段岩屑床高度,采取适当的堵漏措施,选择高额定泵压的钻井泵。