夏秋（麦茬）黄瓜一架一膜两茬两用栽培技术

1．播期安排。夏秋苗瓜一架一膜两茬两用的关键是安排好育苗时间。第一茬5月中下旬育苗，6月上中旬移栽，7～8月上旬采收，此茬播种不能过晚，过晚温度高，对生长不利。第二茬7月上中旬育苗，8月初移栽，9～10月上旬采收，该茬播种不能过迟，以免后期气温低，影响产量。播种后插支架覆盖遮阳网，防高温暴雨影响全苗。     

加强高职高专生就业心理素质教育,提升就业能力

随着社会经济的发展,高职高专生的就业面临着巨大的挑战和压力;然而,目前部分高职高专生存在着一些不良的就业心理素质,影响着其就业能力.因此,在高职生的就业指导中应加强就业心理素质教育,以充分拓展就业空间.     

人工草场防除杂草技术

1．化学除草剂的施用方法 1．1土壤处理法就是把化学除草剂施在土壤中。化学除草剂的施用时间可以选择在播种前或播种后在种子发芽前、牧草生育期。施用化学除草剂的深度，要根据所栽牧草的生长习性及所用化学除草剂的性质来决定。用化学除草剂进行土壤处理时，应注意两点：第一、不同化学除草剂的残留期也不相同。对于残留期短的化学除草剂，施用期应于杂草发生的高潮期相吻合；对于残留期长的化学除草剂，     

试析现阶段就业歧视问题及解决对策

我国目前的劳动力就业市场上存在的各种各样的歧视现象,已经违反了平等就业的基本原则,严重影响了公民的基本劳动权利的实现.阐述了现阶段我国解决就业歧视问题的重要意义,分析了就业歧视问题的主要表现及其影响,并提出了完善立法、加强执法,减少制度性的限制、创造更多就业机会,设立专门处理就业歧视机构等具体措施.     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

BaFX：Eu（X：Cl,Br）中电子陷阱的研究

Ｘ线影像板需要近红外光激励。掺入Ｃａ＾２＋,Ｓｒ＾２＋,Ｍｇ＾２＋后,用６５０￣７００ｎｍ光激励ＢａＦＸ：Ｅｕ＾２＋,可以更为灵敏。用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了Ｘ射线辐照后ＢａＦｘ：Ｅｕ（Ｘ：Ｃｌ,Ｂｒ）电子陷阱的性质、状态、密度和转换。     

高等教育大众化背景下我国大学生就业探析

高等教育大众化与大学生就业制度的改革是目前我国教育界普遍关注的两大热点问题。我国高等教育大众化发展程度如何,与大学生就业有何联系,又会产生什么样的影响,试从以上角度对高等教育大众化背景下我国大学生就业问题作出初步探析。     

贫困大学生就业对策研究

随着高等教育快速发展,高校毕业生就业形势越来越严峻。本文从家庭经济贫困对大学生的专业学习、能力培养、就业信息获取、就业观念等造成负面效应入手,探讨就业对策,从而帮助贫困生实现充分就业。     

高等教育大众化形势下大学生就业难的现状与原因分析

本文通过统计数据分析了大众化高等教育的就业现状。用教育经济学的观点．从大学毕业生的就业期望值与社会需求之间的矛盾、劳动力市场分割理论而导致的供需矛盾、教育产业结枸与人才社会需求结枸的矛盾和高等教育本身存在的供需矛盾等几个方面剖析了高等教育大众化就业难的主要原因基于这些原因．本文最后提出了适度解决大学毕业生就业难的具体应对措施。     

β-SiC非线性导电特性影响因素及机理的研究

研究了-βSiC非线性导电特性的影响因素及其机理,提出了利用-βSiC作为电机线棒防电晕材料的新方法.在-βSiC微粉合成的过程中,向其中掺杂V、Al等非4价金属,与-βSiC形成固溶体,可有效地改变β-SiC的非线性导电特性;-βSiC微粉表面吸附的Fe、Al、Mg、Ca、Ti、V等金属杂质,随其含量的提高,-βSiC电阻率下降;随表面胶态SiO2含量提高,-βSiC微粉电阻率提高,非线性系数增大;随晶体中x(C)/x(Si)的增大,-βSiC微粉电阻率降低,非线性系数减小.随着-βSiC微粉表面SiO2含量的增加,其防电晕涂层表面电阻率Sρ和起晕电压随之提高,最高可达55 kV,-βSiC完全可单独用作电机线棒的防电晕材料.