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21.
本文根据浮选实验和ζ-电位测定结果讨论了硫化矿浮选中的“低谷”现象,并提出产生该现象的原因可能是由于金属羟合物的吸附.  相似文献   
22.
研究表明,冲绳海槽铜锌黑烟囱内发育的枝状构造矿物成分为闪锌矿,在枝状闪锌矿内发育片状黄铜矿鱼骨状构造,枝状构造闪锌矿及其内部生长的鱼骨状黄铜矿具有从烟囱外壁向内部生长的特征。从对该烟囱进行的电子探针分析结果看,组成该烟囱的主要硫化物单矿物(黄铜矿、方铅矿、黄铁矿等)的Cu/Zn值,从外壁至中央通道,具有低-高-低的特征,在该烟囱枝状构造和外壁过渡带达到最高;闪锌矿中特征不明显。Au,As等元素与此有相似的特征,据以上这些特征推断在该烟囱初始喷发时,富含硫化物的高温流体与海水接触,造成了异常高的过饱和度增高,并发生快速冷却结晶,形成闪锌矿淬火构造,外壁的低渗透性阻隔了高温型热液从管壁向海水的扩散,使得高温热液有较为充足的时间在靠近外壁的位置和早期枝状闪锌矿进行物质交换取代,从而有利于在外壁和枝状构造接触部位形成Au,Cu和As异常高富集。  相似文献   
23.
对采自不同类型矿床,含铁量不同的闪锌矿作了比磁化率和红外光谱的测定,某些样品作了晶场光谱测定。作了比磁化率的理论计算,并讨论了Fe~(2+)和Fe~(3+)在晶体中对磁化率的贡献。从理论上对闪锌矿的晶场光谱作了分析,并解释了闪锌矿颜色与杂质的关系。讨论了红外光谱的特点。  相似文献   
24.
本文讨论了该矿床三种主要金属硫化物(黄铁矿、闪锌矿和方铅矿)的标型特征。结果表明:与典型的层控、沉积型矿床及典型的岩浆热液型矿床的硫化物相比较,该矿床三种主要金属矿物的标型特征变化很大,两类典型矿床的标型特征兼而有之;尤其从矿化早期向矿化晚期的演化。表现出岩浆热液型向层控型过渡的明显趋势。这说明本矿床的成因不是单一的,而是多种成因叠加的;成矿热液和金属物质也不是单一岩浆来源的,而是多源混合的。  相似文献   
25.
混合菌群诱变及诱变菌群对闪锌矿浸出的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
将采自不同地区的混合菌分别培养于以黄铜矿和黄铁矿为能源的9 K培养基中,并以该培养物作为出发菌群,用亚硝酸钠(NaNO2)、硫酸二乙酯(DES)、紫外线(UV)及其组合为诱变剂,对混合菌群进行诱变。诱变后,经过连续浸矿筛选,得到对闪锌矿浸矿效果最好的诱变菌群E。浸矿试验结果表明:在9 K和Leathen培养基中,用诱变菌群E浸出闪锌矿40 d后,Zn2 的浸出率分别比对照组提高68%和84%;离心收集Leathen培养基中的菌体和矿样浸渣,弃除液体,加入新的Leathen培养基,在30℃和200 r/min条件下,恒温摇床培养20 d后,诱变菌群E对闪锌矿中Zn2 的二次浸出率比对照组高92%。  相似文献   
26.
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型HgTe的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、电子密度、复介电函数、复折射率、反射率、吸收系数、损失函数和光电导率.计算结果显示闪锌矿型HgTe为半金属,计算得到其折射率为4.39,静态介电常数为19.24,为闪锌矿型HgTe的应用提供了理论依据.  相似文献   
27.
应用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和局域密度近似(LDA)方法,利用第一性原理对不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的光学性质进行了模拟计算,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量和吸收光谱等性质,并结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的光学性质.  相似文献   
28.
闪锌矿和纤锌矿结构GaN静态性质计算何国敏,郑永梅,王仁智(物理学系)GaN是宽禁带血一V族化合物半导体,兼有闪锌矿(立方)和纤锌矿(六角)两种结构,它们在短波光电器件(如蓝色、紫色发光二极管和近紫外短波激光器)、微波半导体器件和大功率、耐高温器件中...  相似文献   
29.
位于桂西北丹池成矿带上的大厂锡多金属矿床是世界重要的铟产地,其铟元素主要赋存在闪锌矿中,而闪锌矿往往与黄铜矿及磁黄铁矿共生。以闪锌矿为对象,在野外、室内矿物学观察基础上,通过高精度电子探针和微量元素分析为手段,研究闪锌矿微量元素之间相互关系及其形成原因。根据实验结果,得出以下结论:铜坑矿床中的闪锌矿富含大量的微量元素,闪锌矿独特的四面体结构以及较高的Fe含量有利于微量元素的进入,微量元素的相关性不仅反映了元素含量的此消彼长,更反映了成矿时不同的物理化学条件。通过对微量元素相关性及闪锌矿"骨骼"现象的研究,推测闪锌矿丰富的微量元素及"骨骼"现象并非闪锌矿同期产物,而是与岩浆有关的晚期富Cu、Sn、In流体叠加交代早阶段含Cd闪锌矿的结果。一方面,大量的微量元素进入到闪锌矿晶格中;另一方面,岩浆带来的大量Cu元素捕获原有闪锌矿,原有闪锌矿在黄铜矿中重结晶形成雪花状和星状等"骨骼"现象。  相似文献   
30.
应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质,并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8.65GPa, 与实验值符合得很好,结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的电子结构以及电学性质.  相似文献   
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