关于NAND闪存损耗均衡算法的优化

为了改善NAND闪存不耐擦写的特性,本文对传统的损耗均衡算法(HWL算法)进行优化,主要包括触发机制的优化和将现有的静态损耗均衡与动态损耗均衡策略相结合的优化策略.最后根据需求设计了评估损耗均衡算法效果的测试实验.结果表明:与当前算法相比,本优化算法展现了良好的磨损均衡效果,解决了NAND闪存不耐擦写的缺陷.     

一种支持FAT文件系统的Flash转换层设计

针对Nand Flash先擦除后写入,block为最小擦除单位,page为最小读写单位,文档分配表文件（file allocation table,FAT）系统不能直接应用于Nand Flash的特点,提出一种基于缓存机制的应用于FAT文件系统的Flash转换层,设计一种逻辑块和物理块的映射机制处理Nand Flash的坏块;应用一种缓冲机制来提高系统读写速度,减少Flash存储块的擦除次数;应用循环冗余码校验算法(cyclical redundancy check,CRC)来改善Flash的负载平衡。本系统的闪存转换层（flash translation layer,FTL）有效地处理了Nand Flash的硬件限制,延长Flash的寿命。     

嵌入式闪存适用的新型低压高效率电荷泵电路

随着片上系统(SoC)电源电压的降低,嵌入式快闪存储器内部电荷泵电路的电压增益不断下降.为提高低电源电压下电荷泵电路的效率,提出了一个基于两路互补结构的高效率电荷泵电路,并设计了栅压提高电路与衬底调节电路,二者的共同作用可以有效地减少传输电压的损失,提高电荷泵电路的电压增益.模拟结果表明:当电源电压为1.5V时,相比于...     

铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望．     

一种在固态硬盘中提升闪存随机写入性能的缓存管理策略

基于闪存的固态存储设备业已成为移动设备最重要的存储材料,并逐渐开始在高端桌面系统中取代硬盘。然而,桌面环境具有更复杂的应用需求,闪存相对较差的随机写入性能会在实际应用中产生一些问题。本文提出一种新颖的写缓冲区管理方案,显著提高了闪存存储器的随机写入性能。     

微控制器和大容量闪存在塔吊监控器中的应用

阐述了微控制器和大容量闪存在塔吊监控器中应用的实现方案，介绍了该方案的软件基本流程与硬件组成框架，并对硬件的可靠性需求进行了分析。指出采用该设计方案的产品运用于工作现场。达到了预期效果。     

业界风云

刘翔洛桑12．885破世界纪录；12名经济学家当选首批学部委员；国家环保总局严格控制二氧化硫排放量；英特尔要为手机配置闪存芯片；工行推出网上银行动态密码；[编者按]     

Dual-FTL:一种基于MLC/SLC双模闪存芯片的闪存转换层

为了解决多级单元(MLC)闪存相对于单级单元(SLC)闪存写入性能低和擦除寿命短的问题,提出了一种基于MLC/SLC双模闪存存储芯片的闪存转换层Dual-FTL.利用MLC/SLC双模闪存芯片的双烧写模式,Dual-FTL将闪存空间分为容纳热数据的小容量SLC区域和容纳冷数据的大容量MLC区域.同时,Dual-FTL提出了识别数据冷热度的方法,并可以根据负载变化动态调整策略参数.实验结果表明,Dual-FTL可以让MLC/SLC双模闪存在一半的比特成本下提供和SLC闪存相似的性能和使用寿命.     

NAND型闪存不溢出存储设计

针对在无人值守的工作环境下,数据存储系统由于数据量太大而发生溢出的现象,以K9K8G08U0A闪存为例,设计读、写、擦除基本的操作,引入非离散数据与离散数据的概念来标识需要存储的数据,利用数据回卷机制来存储数据,把存储空间分成坏块记录区、非离散数据存储区和离散数据存储区3部分,同时设计数据写入方式,确保每次写入的数据在离散履历区和非离散履历区均存在。设计结果表明：在达到离散存储区最大值时,将存储引向离散存储区的开始位置,使离散存储区变成首尾相连的闭合环,从而实现数据存储不溢出;针对数据回卷造成存储时间较早的数据部分或全部被覆盖,造成数据的不完整,采用数据反向分析的方法,通过比较相邻数据存储空间是否有交集来分解出正确的数据;使用数据回卷的存储机制,使存储空间变成一个＂永远存不满的空间＂,确实保证了数据存储不溢出,保存了最新最近的数据。     

基于分离日志的闪存数据库系统存储管理方法

闪存在企业级计算环境中的不断应用使闪存数据库成为一个新的研究热点.针对数据库数据更新的特点以及已有闪存存储管理方法的不足,提出了一种新的基于分离日志的闪存数据库系统存储管理方法(OPL).OPL方法通过提高日志页的空间利用率来减少闪存写操作和擦除操作数量,从而提高数据更新性能,该方法还提供了对事务恢复的支持.