用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

聚苯胺的掺杂反应

系统地论述了聚苯胺的４种掺杂反应（质子酸掺杂，碘掺杂，光助氧化掺杂和离子注入还原掺杂），指出了聚苯胺的结构形式与掺杂途径的对应关系。发现全还原型聚苯胺可进行氧化（ｐ－型）掺杂；全氧化型聚苯胺可实现还原（ｎ－型）掺杂；只有处于中间化态时才显示出独特的“质子酸掺杂”现象。     

pH、温度和浓度对苯酚在V掺杂MoOx-C/Ti电极上的电催化氧化的影响

采用溶胶-凝胶法合成MoOx、MoOx-V5 (x%)胶体,通过Vulcan XC-72炭黑负载制备炭载钼系氧化物电催化剂.利用循环伏安法(CV)测试手段研究苯酚在电极上的氧化降解,考察了掺杂元素、溶液pH值、苯酚浓度、扫描速率、温度对苯酚氧化性能的影响.测试结果表明:苯酚在电极上的氧化是受扩散和电子转移联合控制的复杂过程;掺杂过渡金属元素V可以降低苯酚氧化的表观活化能,提高电化学性能;溶液的pH值越低,MoOx-C/Ti电极对苯酚的催化氧化活性越高;pH在0～6,苯酚的氧化经历了相似的历程,包含了相同的电子数和质子数;苯酚氧化峰电流随着浓度、温度的增加而增加,到一定程度后趋于稳定.     

新型全固态铁离子敏感电极研究

采用稀土电极材料六硼化镧制备了一种新的全固态铁离子敏感电极。研究了该敏感电极在常见介质中对Ｆｅ３＋的响应行为。结果表明，该铁离子敏感电极在１．５ｍｏｌ／ＬＨ３ＰＯ４介质中的线性响应范围、检测下限和响应斜率分别为１．０×１０－５～１．０×１０－１ｍｏｌ／ＬＦｅ３＋，６．０×１０－６ｍｏｌ／ＬＦｅ３＋和６０ｍＶ／ｐＣ，且具有较好的选择性。     

掺Sb对Bi（Pb）SrCaCuO超导电性的影响

研究了掺Ｓｂ对ＢｉＳｒＣａＣｕＯ超导电性的影响，对Ｂｉ系统料中Ｓｂ，Ｐｂ的最佳含量和烧结工艺进行了探索。     

电荷掺杂和杂原子掺杂聚硅烷的比较性理论研究

本文利用GAUSSIAN 03程序包中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对聚21硅烷、电荷掺杂的聚21硅烷以及杂原子(硼和磷)掺杂的聚21硅烷进行几何全优化,并对它们的几何结构和自旋密度进行了比较性理论研究.结果表明,电荷掺杂能使聚硅烷的Si—Si键长增长,其极子分布几乎遍及了聚21硅烷的整个链;而杂原子(B、P)的掺杂对聚硅烷的影响主要集中在与B、P原子相邻的Si原子上,极子分布仅局域在B、P原子附近的3~5个原子上.     

氨基膦酸羧酸螯合树脂的合成及其对痕量镧系稀土富集分离性能的研究

简要叙述了氨基膦酸羧酸树脂的合成路线 ,用 ICP- AES对其富集分离痕量镧系稀土元素进行了研究 ,讨论了吸附酸度、洗脱、吸附流速以及共存离子干扰等的影响 ,并进行了实际样品的分析 ,获得了满意的结果 .