富勒烯C60吡咯烷键联噻吩基分子设计的理论研究

利用AM1半经验分子轨道法对所设计的3个富勒烯C60吡咯烷键联噻吩基分子进行优化．计算结果表明,目标物(3)具有较低的跃迁能、较大偶极矩和较高的生成热．LUMO集中分布在C60部分,而HOMO则集中在噻吩环上．通过HOMO和LUMO轨道的比较及电荷分布情况,预测所设计的目标物(3)在基态下可能产生长寿命的电荷分离态．     

FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响

在场致发射显示器 (FED)中加入支撑会影响真空室内部电场分布和电子运动 ,从而导致二次电子发射和电荷积累效应。为比较不同发射结构中这种负面影响的大小 ,对3种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟 :采用有限元法计算带有介质支撑墙的 FED电场分布 ,采用 Runge- Kut-ta法计算该空间电子轨迹 ,得出了支撑墙对 FED电子轨迹影响的数值结果。模拟结果显示 ,在三极型和四极型 (聚焦型 )结构中 ,支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射和电荷积累效应 ;与之相反 ,平面型发射结构则很好地避免了这一负面影响     

SCC—DV—Xα方法的应用 Ⅱ．催化活性研究

应用电荷自洽离散变分Xα方法（SCC－DV－Xα）和动力学实验,研究了酸碱催化剂对羰基化合物离子型反应的催化活性。对甲醛模型物的SCC－DV－Xα计算表明,碱催化剂对甲醛羰基的活化作用比酸催化剂强,碱催化剂的催化作用是羰基π健的削弱有关,而酸催化剂能提高羰基碳原子的亲电能力。动力学实验结果与计算结果相一致。     

漂白麦草浆湿部电荷的测量

用胶体电荷滴定和Zeta电位测定法对漂白麦草浆（BWAP）及过105目的细小纤维（P105）的电荷密度和电荷特性进行了研究。并对硫酸铝和聚合氯化铝对漂白麦草浆的阳郭子需求量及胶体滴定比率的作用进行了分析。结果表明：pH值的改变对漂白麦草浆和P105的Zeta电位及胶体滴定比率（CTR）影响很大,P105有更大的阳离子需求量。     

加速电荷辐射原理求解雷击水平导体辐射场

雷击电力和通信线路或建筑物水平金属时,雷击点处或导体弯曲处会辐射出较强电磁场,分析雷击水平导体周围电磁场对于周边物体雷电防护具有重要意义。根据经典电动力学中加速电荷产生辐射场的原理,将雷击水平导体辐射电磁场分成通道产生电磁场和导线产生电磁场两部分,两者因传播速度不同分别建立不同运动电荷辐射场模型。实例以地面上水平导体受雷击及90°直角折弯导线流经雷电流后电磁场作分析,并绘出对应的辐射电场波形。分析结果表明雷击导体附近辐射电场主要由雷击点和弯曲点处电荷加速与减速引起。加速电荷辐射场分析法与偶子极等方法有异曲同工之妙,且更有助于理解雷击处电磁辐射物理机制。     

钛基锡钌钴纳米涂层的制备

采用热分解法制备钛基锡钌钴纳米涂层,并系统研究了工艺参数对涂层的结构与物化性能的影响。结果表明：1）随着温度的升高,涂层表面的裂纹宽度有所增加。在制备温度为600℃时,涂层析出钌单质。2）钌含量较低时,主要为锡基固溶体;钌含量较高时,主要为钌基固溶体。添加锡能细化涂层晶粒。涂层裂纹数在钌含量较低和较高时都较少。3）随着钴含量的增加,涂层晶粒变细,但钌锡固溶体也开始脱熔。添加较多的钴会导致钴的氧化物以黑色颗粒状脱落,并附带钌的氧化物脱落。4）钛基锡钌钴涂层阳极的最佳制备工艺初步为：制备温度500％;锡钌钴的摩尔比为61：35：4。     

影像科学的革命——2009年诺贝尔物理学奖简介

  由于发明了一种成像的半导体成像器件--CCD影像传感器,美国科学家威拉德·博伊尔（Willard S. Boyle）和乔治·史密斯（George E. Smith）被授予2009年度的诺贝尔物理学奖,本文将主要介绍他们的工作,CCD技术的基础理论和未来的发展及挑战。     

2,6-二噻吩基并苯齐聚物结构和光物理性质的理论研究

运用密度泛函B3LYP方法计算了2,6-二噻吩基并苯齐聚物的基态结构,系统分析分子结构、前线分子轨道特征以探索电子跃迁机理.结果表明,最大波长吸收峰主要由并苯单元部分的电子跃迁引起的,而噻吩环对短波长处吸收峰有重要贡献.噻吩取代使重组能增加,电离势降低,而并苯重复单元增加使重组能降低,有利于载流子传输.     

专用CCD信号处理芯片和USB2.0技术在CCD相机设计中的应用

介绍了专用CCD信号处理芯片VSP2212和USB2.0芯片CY7C68013在CCD相机设计中的应用,给出了硬件实现方案。其中对VSP2212和CY7C68013作了较为详细的介绍。     

两次超级单体雷暴的电荷结构及其地闪特征

利用闪电VHF辐射源高时空分辨率的三维观测资料, 针对二个超级单体雷暴产生的地闪的时空分布特征和电荷结构进行了分析, 结果表明在这两个雷暴产生大量正地闪期间, 雷暴的主体部分(对流区)雷暴电荷结构呈反三极性, 正地闪主要发生在雷暴的主体部分, 并由中部的正电荷区产生; 在大量负地闪发生期间, 负地闪主要发生在雷暴的砧体部分, 由于雷暴主体部分的电荷结构向砧体区的倾斜, 云中砧体部分电荷结构为反偶极性, 上部负电荷区产生了大量负地闪. 雷暴最下部的电荷区很少直接产生对地放电, 但对其上部电荷区的对地放电的发生具有重要作用.