叠层薄膜基电荷陷阱存储器的存储性能研究

随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统的浮栅型存储器件逐渐接近其物理和技术的极限,多晶硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型电荷存储器件以其低电压、小尺寸及良好兼容性等特点成为近年来半导体行业研究的热点.但是,写入/擦除速度与数据保持性能之间的平衡问题一直制约着SONOS型存储器件的发展.为了解决这一问题,本文利用脉冲激光沉积系统制备了叠层薄膜基电荷陷阱存储器件,其中SiO_2作为隧穿层,叠层ZrO_2/Al_2O_3作为电荷存储层,Al_2O_3作为阻挡层,并对器件的电荷存储性能做了系统分析.利用透射电子显微镜(TEM)表征了器件的微观结构,采用4200半导体参数分析仪测试了器件的电学性能,包括存储窗口、写入/擦除速度及数据保持性能.研究结果表明,存储器件具有良好的电荷存储性能.当栅极扫描电压为±2V时,存储窗口仅为0.9V,随着电压增加到±6和±8V时,存储窗口分别达到3和4.4V;+8V,5×10~(-5) s的写入操作下,平带偏移量达到1V;室温,85和150℃测试温度下,经过1×10~5 s的数据保持时间,器件的存储窗口减小量分别为5%,10%和24%.优异的电学性能主要归功于ZrO_2和Al_2O_3之间的深能级界面陷阱及层间势垒.因此,采用ZrO_2/Al_2O_3叠层薄膜结构作为电荷存储层,具有良好的市场应用前景.     

500KV变电站三相旋转电场的计算

导出计算三相放置电场极值的最简数学公式，用模拟电荷法建立了超高压变电站电场的计算模型，编写了通用计算程序。     

电荷屏蔽与超新星前身星阶段fp壳层核的电子俘获

利用核的壳层模型，讨论了电荷屏蔽对超新星的前身星阶段一些较丰的核在一些重要的温度－密度点的电子俘获率的影响，结果表明由于电荷屏蔽的作用其电子丰度变化率须乘以一个０．８－０．９的因子。     

为什么在瓷碗上容易贴上保鲜膜,而不锈钢碗上不行?

A:保鲜膜之所以能够紧贴在光滑表面上,是因为在把它从卷轴上揭下来时,上面带上了电荷。保鲜膜能够紧贴在绝缘物体上,这道理与一张不带电荷的纸片能够贴附在计算机或电视机的     

洛伦兹力的相对论解释

用狭义相对论讨论运动电荷之间的相互作用时，可以推导出洛伦兹力的表达式，并且可以看出电力（库仑力）与速度无关，磁力与速度有关，因而磁力是一种相对论效应。     

不带电荷极性氨基酸对兔肝中碱性磷酸酶活性的影响

采用生物化学方法中的有机溶剂分级沉淀法,对碱性磷酸酶进行了分离纯化,用金氏法测定其活性,并用Folin-酚法测定酶含量,然后筛选碱性磷酸酶的最适pH值和最适温度。在此条件下研究不带电荷极性氨基酸对兔肝中碱性磷酸酶活性的影响。结果表明,兔肝中碱性磷酸酶的最适pH值为9.84,最适温度为39℃。在不带电荷极性氨基酸中甘氨酸、苏氨酸、半胱氨酸和天冬酰胺对碱性磷酸酶的活性有不同的抑制作用,而丝氨酸对碱性磷酸酶的活性有激活作用,这说明不带电荷极性氨基酸对酶活性抑制或激活作用与其侧链基团有关。     

核磁共振化学位移与核外电荷的双线性关系——化学位移近似计算方法

研究了核磁共振化学位移与核外电荷之间的关系。以赖氨酸和炔丙衍生物中Ｃ－１３的化学位移为例，表明化学位移与核外电荷的双线性关系；并预测了［Ｍｎ２（μ－ＰＰｈ２）（μ－ＰＰｈＲ）（ＣＯ）８］，Ｒ＝Ｈ，Ｃｌ，Ｍｅ，Ｅｔ或Ｍｎ（Ｃｏ）５系列中尚缺的部分Ｐ－３１化学位移。     

数码相机及其影像输出

随着多媒体电脑技术的迅速普及，数码相机受到了越来越多的专业摄影爱好者的青睐，数码相机是集光学、机械和电子于一体的产品的，它集成了影像信息的转换，存储和传输等部件，具有数字化存取模式，与电脑交互处理和适时拍摄等特点，对传统的银盐法摄影产生了巨大的冲击。     

有序Al-Li金属化合物的成键特征与电荷偏移

用余氏金属价键理论计算了Ｆｃｃ基有序Ａｌ－Ｌｉ金属间化合物的键参量和原子间成键的电荷偏移量。结果表明：要形成较强的Ａｌ－Ｌｉ键，Ａｌ原子将偏移部分共价电子给Ｌｉ原子用于共价成键，而这一过程中Ａｌ原子的外层电子状态并没有明显的改变。     

推帚式TDI-CCD相机应用分析

简要介绍了推帚式TDI-CCD相机及TDI-CCD像感器的工作原理，对引起相机调制传递函数退化的几个因素进行了详细分析，这些因素包括几何尺寸、电荷转移损失、速度失配、电荷分立运动，而且对离散空间域的线阵静态扫描MTF进行了分析研究，阐述了TDI-CCD级数与速度同步性、信噪比、动态范围的关系。