局部环R上POn(V)的自同构

设R表示局部环,M是R的极大理想,V是R上N维对称内积空间,假设n≥5.V的双曲秩≥1,2,3,5是R中的单位.本文利用域上正交群射影自同构中区分对合的结果,证明了局部环R上POn(V)的自同构把1对合变为1对合,从而得出了在本文所设条件之下,局部环上POn(V)的自同构具有标准形式.     

NEPE推进剂用键合剂的合成及初步应用研究

讨论了氰乙基烷氧基多乙烯多胺盐键合剂合成中的几个影响因素,找出了最佳合成条件,并采用热分析法、红外光谱等手段研究了键合剂的基本性能,结果表明,所合成的键合剂对奥克托今/聚醚体系推进剂具有较好的键合效果。     

Cr_2多重键的MCSCF及CI研究

Cr_2的实验键长为1.68,比金属本体中Cr-Cr键长2.5短的多,吸引了众多的理论研究,并论证其多重键本质。早期半经验计算即认为Cr_2中的d轨道形成多重键;80年代初,从头计算及组态相互作用研究也相继完成并获得一定成功。然而,大规模组态相互作用研究却遭到失败,证实这类分子d-d电子相关能大,成键本质的定量估计需要更精确的理论计算。     

水合磺胺嘧啶锌和氨合磺胺嘧啶锌结构的研究

本文合成了水合磺胺嘧啶锌和氨合磺胺嘧啶锌,并用~1H NMR、~(13)C NMR、元素分析,红外光谱以及热分析对它们的结构进行了研究,对结果进行了解释.     

多元晶体非线性光学系数的计算-双原子键三中心静电模型的应用

本文应用双原子键三中心静电模型,导出了单键线性极化率的表达式,从而提供了计算多元复杂晶体二阶非线性光学系数的半经验方法;应用该方法计算了A~ⅠB~ⅡC_2~Ⅲ(如CuGaS_2、AgGaS_2、AgInSe_2等)、A~ⅡB~ⅣC_2~Ⅴ(如ZnSiAs_2、CdGeP_2、CdGeAs_2)、以及KH_2PO_4、LiNbO_3、LiTaO_3等复杂晶体的二阶非线性光学系数d_(ijk),计算值与实验测定值基本相符。     

Si6和Si10微集团结构的Xa—SW研究

本分析了Ｓｉ原子微集团中存在幻数的原因，并用自洽场一多重散射Ｘａ方法，从能量最低原理，研究了６个Ｓｉ原子微集团和１０个Ｓｉ原子微集团的可能构型，指出悬挂键在Ｓｉ微集团中起了重要作用，同时必须考虑键角畸变的因素。     

LiF：Co^2＋和NaF：Co^2＋晶格中的Co^2＋—F^—键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋和ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋晶体中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长，结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋中，Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ－Ｆ距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ－Ｆ键长，从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明，所     

原子集团展开和平均键能方法有InxGa1—xAs／GaAs系统中…

把原子集团展开方法同平均键能方法相结合建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法。应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应谈状态下的价带偏移随合金组份的变化规律。     

16维Cartasn例外域的对合变换

利用１６维Ｃａｒｔａｒｎ例外域的有界域的对合变换求出其Ｓｉｅｇｅｌ域形式的对合。     

用键极性指数加和值确定苯环上取代基的类型

以一元取代苯为模型，提出键极性指数加和值Σδｉｚ及计算方法，用Σδｉｚ判断苯环上取代基的类型及定位能力，结果与文献值相符。