基于拉曼光谱和光学二次谐波的二硒化锡结构研究

二维层状半导体材料,尤其是少数原子层时,其光电性质与晶格结构密切相关,采用合适的表征方法是关键。本文通过使用机械剥离的方法,得到了不同层数的二硒化锡,并利用光学二次谐波和拉曼光谱的表征研究了其晶体结构的性质。通过二次谐波准确确定了二硒化锡的晶轴,分析了厚度对二次谐波的影响,为确定材料的晶格结构提供了一种纯光学的手段,同时为发现二硒化锡其他非线性光学性质提供了可能性。通过拉曼光谱,发现二硒化锡层间振动模式对厚度和温度变化均较为敏感,表明二硒化锡可应用于大范围内温度的原位监测。     

锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究

无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料，适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而，由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系，基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制；最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响，提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结，通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.     

古代锡汞齐及其应用

锡是中国先民认识最早的几种金属之一,汞在春秋时期也开始使用,但锡汞齐最早大概于战国时期出现.炼丹术兴起以后,锡汞齐得到炼丹家较多研究与应用,被用于制造药银、炼制轻粉与粉霜、磨镜等用途.除此之外,锡汞齐还被用于医学补牙、手工业焊补铜器等.     

仲钨酸铵对Ag-Sn合金粉末的氧化作用

本文采用氧化增重法(TGA),研究了添加少量仲钨酸铵(APT)对Ag-Sn合金粉末的氧化作用,用X射线衍射仪、电子探针和金相观察分析了粉末氧化前后相的转变、氧化物的分布、形貌。结果表明,Ag-Sn APT混合粉末的氧化规律服从Wagner理论;APT的分解产物及形成的新相Ag_2WO_4作为活性氧原子源,促进Sn的氧化;添加剂APT在0～2.26wt-％成分范围内和相同温度、相同氧化时间条件下,氧化速率随添加量增加而加快;随氧化温度的提高,氧化速率加大,如在800℃下的氧化速率大于700℃下的氧化速率。     

电位溶出分析法同时测定罐头食品中痕量铅锡

利用不除氧电位溶出分析法成功地测定了溶出电位相近的Ｐｂ、Ｓｎ两元素。以０．０５ｍｏｌ／Ｌ草酸为介质，调节溶液ＰＨ＝１．０，以溶解氧做氧化剂，静止溶出，两元素均有分高清晰的平台出现。Ｐｂ、Ｓｎ的线性范围分别为：２．０×１０－９～２．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ和２．０×１０－８～２．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。当富集时间为４ｍｉｎ时，Ｐｂ、Ｓｎ的检测限分别为５．０×１０－１０ｍｏｌ／Ｌ和５．０×１０－９ｍｏｌ／Ｌ。此法已成功地应用于测定罐头食品中的痕量Ｐｂ、Ｓｎ。     

Sb＿2O＿3－ZnSn（OH）＿6－ZnNH＿4PO＿4阻燃体系的研究

研究了在聚氯乙烯（ＰＶＣ）中，Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６，Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４，ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４二元体系的协同阻燃性能，以及Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４三元系的阻燃性能，采用混料回归实验设计，导出了三元系氧指数与阻燃剂含量关系的数学模型，经计算机计算并绘制出了氧指数等值图，该体系中Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６，Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４复配具有正的协同作用，而ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４复配则表现为负的协同作用。     

广西九毛锡矿的低温变形与低温成矿作用

九毛锡矿床存在一个高－中－低温成矿作用序列，锡矿床主要形成于中－低温（２６０—１６０℃）阶段。矿床具有明显的低温变形特征，主要表现为锡石、石英等矿物颗粒的晶体塑性变形、重结晶（动态和静态）、变形纹、波状消光、吕德尔线、构造脉，劈理和构造透镜体，反映出低温变形作用对成矿物质具有重要的改造富集作用。研究表明，作为低温变形的一种重要变形机制—压溶作用，也是九毛锡矿低温成矿的重要机制。     

Sn—Bi纳米晶粉的形貌及组织结构的研究

对采用电流体动力学法制取的Ｓｎ－Ｂｉ纳米晶粉进行微区原位电子显微实验和Ｘ射线衍射实验，研究其形貌、尺寸分布及组织结构特征。实验结果表明，电流体动力学法制取的Ｓｎ－Ｂｉ纳米晶粉是尺寸分布均匀且集中的球形小颗粒，其组织结构是成分由原始合金成分和液态金属浓度走伏决定的、具有单晶结构的单相过饱和固溶体（或单相固溶体）。