Role of doping and oxygen content in supercon—ductivity of La2CuO4＋δ

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A-Si∶H磷掺杂固相效率

证明了ａ－ＳｉＨ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限、悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定     

^40,48Ca＋^124Sn多核子转移反应中的结团效应

用地时间谱仪测量了入射能量分别为１７０和１７４ＭｅＶ＾４０．４８Ｃａ＋＾１２４Ｓｎ转移反应产物的角分布，实验得到的反应截面及产额分布与理论计算进行了比较。基于连续单核子转移反应机制的理论计算不能再现实验特征，需要在计算中包括核子对与α结团转移机制。     

KZnF3：Fe^3＋晶体中Zn^2＋—空位研究

本文通过对零场分裂参量的理论计算，证实了ＫＺｎＦ３：Ｆｅ＾３＋晶体中Ｚｎ＾２＋－空位方向的配体要移动。     

导电聚苯胺/聚苯乙烯核/壳结构复合微球的制备

通过化学改性对聚苯乙烯微球进行磺化处理，引入亲水性的磺酸基，采用原住聚合的方式，在磺酸根的掺杂下制备了具有核／壳结构的导电聚苯胺／聚苯乙烯复合微球。复合微球中聚苯胺含量为19．3％时导电率约为0．10S／cm，与用聚苯乙烯磺酸本体掺杂的导电率相当。     

二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

尿素为氮源制备氮掺杂二氧化钛及其光催化性

为拓展二氧化钛对可见光的响应,以尿素为氮源,在温和条件下采用溶胶-凝胶法制备了氮掺杂二氧化钛粉末.用X射线衍射、透射电镜扫描、紫外-可见光漫反射吸收光谱和X射线光电子能谱等方法对制备的样品进行了表征,对可见光照射下的光催化活性进行了测试,并考察了煅烧温度及氮含量对光催化活性的影响.结果表明:氮掺杂致使二氧化钛在可见光区的光吸收增强,在降解甲基橙的实验中表现出良好的可见光催化活性;随煅烧温度的增加,氮含量减少,晶粒增大,可见光催化活性减弱;400℃下制备的样品中存在一个最佳的N/Ti配比,所对应的可见光催化活性最高.     

SiO2掺杂对高温处理后纳米TiO2光催化性能的影响

以钛酸丁酯为原料,用醇盐水解法制备纳米TiO2,用SiO2掺杂纳米TiO2.并对高温处理后的掺杂纳米TiO2光催化活性进行研究。XRD和TEM研究结果表明,SiO2掺杂能有效的提高晶相转变温度,阻止TiO2从锐钛矿型向金红石型的转变和晶粒的长大。实验结果表明,在1050℃高温处理后,SiO2掺杂后的TiO2仍为锐钛矿型纳米晶体。用掺杂纳米TiO2对甲基橙的降解率来表征其光降解性能,SiO2掺杂TiO2在高温处理后依然具有较好的光催化活性,850℃处理后其甲基橙降解率由未掺SiO2时的11%提高到96.48%,晶粒尺寸则由50nm减小到20 nm.     

Anderson结构钼钴杂多酸盐掺杂聚苯胺的合成与表征

在盐酸介质中,以(NH4)2S2O8为氧化剂,(NH43)[CoMo6O24H6]为掺杂剂合成出了聚苯胺材料,运用UV-vis,FT-IR,TG-DTA,X-射线粉末衍射测试手段对杂多酸盐掺杂聚苯胺材料进行了表征。