氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

直流电对Sn-Pb/Cu润湿性的影响

在铸造法制金属基复合材料过程中,金属基体与增强相间相互润湿是一个非常重要的条件解决金属液/增强相间润湿性问题的途径主要有物理方法和化学方法两种,施加电流是一种物理方法,与化学涂层、添加合金元素等化学方法相比,它不会给金属液带来成分的变化,或在界面上产生严重的化学反应,使得界面的强度受到破坏;该法与其他物理方法如压力浸渗。搅拌铸造、超声振动相比,将避免气体或氧化膜的混入,而且所需设备简易.然而,电流对金属液/固相润湿的作用很少有报道.在金属基复合材料大家族中,金属基体多采用共晶系合金,如Al-Si,Al-Mg,Fe-C系等;增强相常用石墨、钨丝、碳纤维等导体材料.故本文选择典型二元共晶系Sn-Pb合金作为金属液,导体纯铜作为固相衬板,用座滴法来研究电流对液固两相润湿过程的影响,本文用Gouy-Chapman和Stern双电层理论来分析相关现象.     

掺硅对铁黄合成过程及铁黄形态的影响：I.掺硅时间和掺硅…

研究了掺硅时间和掺硅量对铁黄形态及结构的影响规律，制得了分布均匀、无枝叉的超细铁黄，其平均长轴为０．２￣０．２５μｍ，轴比〉９。发现反应开始时硅酸钠的添加量越大，铁黄粒子越小，分布也越均匀，最终铁黄的结构变化也越大。当反应初期合成体系中硅原子与铁原子的摩尔比大于０．０１５时，反应过程会生成Ｆｅ３Ｏ４。铁黄合成后期掺硅对铁黄大小和轴比影响不大，但可以有效防止铁黄粒子凝并。     

β—酯基丙基三氯化锡与中性配体配合物的合成

利用β－酯基丙基三氯化锡中性配体氧化吡啶、吡啶、２，２’－联吡啶、１，１０－菲唾骂林等反应合成了１０个配合物，通过元素分析，ＩＲ、ＵＶ、Ｈ、ＮＭＲ等表征了其结构     

聚苯胺的掺杂及其导电性能研究

利用对甲基苯磺酸（ＴＳＡ）和磺基水杨酸（ＳＳＡ）对聚苯胺（ＰＡｎ）进行了掺杂，研究了在掺杂过程中浓度、温度及时间对聚苯胺电导率的影响，并对掺杂态ＰＡｎ在空气中电导率与温度的关系进行了研究，结果表明ＴＳＡ和ＳＳＡ掺杂的ＰＡｎ在研究的温度范围内电导率均随温度的提高而增加。     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性￣①

报道ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体敏感性能的研究，结果表明，含５％ＣｅＯ２和Ｓｉｏ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的选择性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论     

锡铅合金中高含量锡,铅的火焰原子吸收测定

提出了用混合酸（盐酸＋硝酸）溶解样品，在混合酸介质中，于同一份溶液里，用火焰原子吸收分光光度法测定锡铅合金中主含量元素锡、铅。该法简便。快速，实用，共存离子不相互干扰，回收率在９８％￣１０２％间，所测样品和国家标准样品均获得令人满意的结果。     

2-甲基-3-三氯锡基丙酸酯与氮、氧单齿配体配合物的合成及表征

合成了２＿甲基＿３＿三氯锡基丙酸甲（乙）酯与吡啶．二正丁基亚砜及水扬醛缩邻甲基苯胺等单齿配体的配合物，并通过元素分析，ＩＲ．ＮＭＲ等进行了表征，结果表明配合物为六配位的有机锡化合物．     

苯芴酮－CTMAB－OP混合体系分光光度法测定铜合金中锡的研究

报道了溴化十六烷基三甲胺ＣＴＭＡＢ与乳剂ＯＰ共存时，在硫酸、盐酸介质中，用苯芴酮分光光度法测定铜合金中锡的研究．该混配颜色化合物的λｍａｘ　５０５ｎｍ，εｍａｘ　５．２４×１０６　Ｌ·ｍｏｌ－１ｃｍ－１，锡的检量范围０～５０μｇｍＬ－１，服从朗伯—比尔定律，具有较高的灵敏度、选择性，重现性、稳定性也较好，适用于工厂中铜合金锡的检测．