首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3219篇
  免费   57篇
  国内免费   127篇
系统科学   38篇
丛书文集   137篇
教育与普及   152篇
理论与方法论   17篇
现状及发展   17篇
综合类   3042篇
  2024年   12篇
  2023年   43篇
  2022年   39篇
  2021年   62篇
  2020年   36篇
  2019年   39篇
  2018年   20篇
  2017年   22篇
  2016年   36篇
  2015年   59篇
  2014年   114篇
  2013年   109篇
  2012年   134篇
  2011年   148篇
  2010年   158篇
  2009年   169篇
  2008年   205篇
  2007年   199篇
  2006年   201篇
  2005年   169篇
  2004年   133篇
  2003年   134篇
  2002年   139篇
  2001年   115篇
  2000年   138篇
  1999年   105篇
  1998年   80篇
  1997年   94篇
  1996年   75篇
  1995年   50篇
  1994年   81篇
  1993年   53篇
  1992年   52篇
  1991年   50篇
  1990年   31篇
  1989年   50篇
  1988年   25篇
  1987年   13篇
  1986年   10篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有3403条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
本文详细的阐述了集电动机智能综合保护、控制、通讯为一体的智能组合开关的工作原理、软硬件设计及关键技术。经现场使用情况表明,该组合开关具有很好的应用前景。  相似文献   
2.
3.
本文研究APPLE─Ⅱ微机利用编程控制获得自动调节脉冲信号的重复频率和宽度的方法。实验证明,这种方法可以使APPLE─Ⅱ微机作为可调脉冲信号源使用。  相似文献   
4.
应用密度泛函理论,采用对称性破损方法研究了草酸根桥联及草酰胺桥联双核铜(Ⅱ)体系的磁耦合作用机理。结果表明:两磁中心的自旋布居大小相等,符号相反,二者之间为反铁磁耦合。而且,与磁中心相联的配体原子与磁中心具有相同符号的自旋布居,磁中心的自旋具有显著的离域效应。HOMO中磁中心未成对电子的占据轨道之间对称性和能级的匹配程度是影响磁耦合强弱的关键。当对称性匹配时,改变桥联基团占据轨道的能级,例如通过改变桥接原子的电负性, 即可改变磁耦合作用的强度,电负性愈低,磁耦全作用愈强。当对称性不匹配时,体系中存在较弱的磁耦合。  相似文献   
5.
MAX+PLUSⅡ9.23软件及其在EDA实验教学中的应用   总被引:2,自引:1,他引:1  
介绍了学生版MAX+PLUSⅡ9.23软件的功能,并通过举例来说明其主要特点,论述其在EAD实验教学中的广阔应用。  相似文献   
6.
通过对我局2004年DYYZⅡ型自动站与人工观测站两种定时气温记录和最高、最低气温和定时地温记录和最高、最低地温记录的对比分析,结果表明,自动站与人工站气温与地温记录值存在差异,并分析存在差异的原因。  相似文献   
7.
研究了具有第Ⅱ类功能性反应的三种群捕食-食饵离散系统,得到了保证该系统持久性的充分条件.  相似文献   
8.
用电化学金属阳极氧化法在非水溶剂中合成了苯甲醛缩氨基硫脲(HL)与Cu(I)、Zn(Ⅱ)配合物,通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、磁矩、摩尔电导等对配合物进行了表征。  相似文献   
9.
在林间除掉瓢虫隐尾跳小蜂后,红点唇瓢虫各龄幼虫应用HollingⅡ,型公式计算日极限捕食量分别为:I龄幼虫-1.677的头/日,Ⅱ龄幼虫-2.0886头/日、Ⅲ龄幼虫-6.1767头/日、Ⅳ龄幼虫-19.3050头/日、V铃幼虫-31.3480头/日。红点唇瓢虫随幼虫龄期增加捕蚧量明显增大,对杨圆蚧的发生有显著的控制作用。  相似文献   
10.
实验研究了非压缩状态下第二类哑铃畴(ⅡD)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的温度稳定性,发现了与材料参量有关的两个重要温度(T)(ⅡD)与(T0)(ⅡD)当温度达到(T )(ⅡD)时,ⅡD畴壁中的VBL开始丢失;当温度达到(T0)(ⅡD)时,所有ⅡD畴壁中的VBL链全部解体。在(T  )(ⅡD)与(T0)(ⅡD)之间,温度越高,ⅡD畴壁中丢失的VBL数目越多。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号