硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能

利用外延片焊接技术, 把Si(111)衬底上生长的GaN 蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上. 在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后, 制备了垂直结构GaN 蓝光LED. 与外延材料未转移的同侧结构相比, 转移后的垂直结构GaN 蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善, 光输出功率显著提高. 垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小.     

基于MEMS和A蛋白自组装膜抗体定向固定技术的安培型免疫传感器

采用微机电系统（micro electromechanical systems，MEMS）技术制备安培型免疫传感器电极系统，并利用A蛋白和硫醇白组装单层膜（self-assembled monolayer，SAM）设计传感界面，用于抗体的定向固定，研制了一种新型的安培型免疫传感器．首先采用MEMS技术，在硅片上制备“Au，Pt，Pt”微型三电极系统和SU-8微型反应池；然后基于自组装技术，先在金电极上制备巯基乙胺自组装单层膜，利用静电吸附作用在巯基乙胺单层膜上组装A蛋白，再利用A蛋白对抗体的定向吸附作用实现抗体在金电极表面的定向固定．该传感器的研制以低成本、微型化、高度集成，以及实现“片上系统”生物传感器为目标．采用循环伏安法和计时电流法研究传感器的响应特性，与采用块体电极的传统传感器以及采用在电极上直接吸附A蛋白的抗体固定方法相比，该传感器体积小，与CMOS集成电路工艺兼容，对人免疫球蛋白（HIgG）的测定响应快（20s），线性范围宽（50--400μg／L），检出限低（10μg／L），并且易于实现传感器的阵列化和实时多参数检测．     

基于高纯锗γ谱仪测量高氡浓度的方法

准确测量环境高浓度氡是评价高氡浓度场所氡年释放量及辐射危害的必要工作,通过基于高纯锗γ谱仪测量技术,利用特制的采样测量盒,建立了测量高氡浓度的方法及装置。实验结果表明:该测量方法探测效率为7. 16×10~(-3),采样盒放于高纯锗探头表面条件下所对应的探测上限可达1×10~(11)Bq/m~3,探测下限为5. 5×10~4Bq/m~3;与闪烁室测氡方法进行了高氡浓度测量比对,两者相对偏差在2%以内。     

圆孔锯锯片的模态分析

以圆孔锯锯片为研究对象,利用ANSYS有限元软件,建立圆孔锯锯片的有限元计算模型,对不同消音槽圆孔锯锯片进行模态分析,得到锯片前20阶固有频率与模态,分析了圆孔锯锯片振动特点;为圆孔锯锯片的动态优化设计提供理论依据。计算结果表明,消音槽对锯片的固有频率与模态影响较大。底盘带流线型消音槽圆孔锯锯片能撕裂节直径振动模态,减振降噪效果好。为圆孔锯锯片减振降噪提供了理论依据。     

壳管式吸附床传热特性及其强化传热研究

为了实现吸附制冷系统连续工作,在分析国内外系统循环方式的基础上,建立了多发生器系统．对吸附制冷系统的能量需求进行了计算,着重研究了吸附床的显热在总热量中所占的比例,通过外加肋片的方式减小吸附床切换过程中的过渡时间,增加系统制冷量、提高系统运行效率．理论研究结果表明：低压蒸汽作为吸附制冷系统驱动热源时,系统的制冷效率可达27％,单位质量吸附剂的制冷量为172W／kg．     

磁尾多元等离子体片振荡与磁脉动的模拟

在磁尾近赤道等离子体片区经常可以观测到可压Pc5脉动波～([1])。一般认为这种脉动波是由磁镜不稳定性产生的。Vaivds,et al.～([2])提出观测卫星相对磁镜结构的晃动可能是该脉动波的成因。本文运用磁尾多元等离子体片模型～([3])对含O～+离子情况下的等离子体片甚低频扰动进行了2.5维数值模拟研究。对等离子体片模拟区内的磁能、内能和动能等积分对应不同的O～+离子丰度的时间演化进行了模拟计算,发现在中磁尾等离子体片区存在着低频本征振荡。对O～+离子丰度为0.3时,一个振动周期内物理量场的2维分布特性的时间演化过程研究表明,该等离子体片振荡可描述为磁能与     

新型闸片结构关键部件应力及寿命分析

制动系统为CRH动车组列车中最为关键的系统之一,而目前国内高铁上安装的闸片大多数采用进口形式,成本较高.本文在保证互换性与实用性的基础上,设计出新型闸片结构.以该种新型闸片结构为例,利用ABAQUS有限元分析软件在最恶劣情况下进行仿真分析,得到关键连接部件的Mises应力,通过等寿命疲劳转换,得到该闸片关键部件的疲劳寿命.结果表明:该新型闸片结构满足相关标准规定的强度与疲劳寿命要求,故可做进一步装车试验,推进闸片国产化进程.     

片上网络路由算法的性能研究

在Turn Model模型的基础上,分析基于2DMesh结构的路由算法的性能.通过片上网络（NoC）模拟仿真实验平台NIRGAM,仿真路由算法在片上网络的延时性能.通过对路由算法影响功耗的综合分析,提出XY-YX路由算法是延时和低功耗性能表现都良好的NoC路由算法.     

激光辅助制备多孔硅锗的形貌和PL光谱研究

用改进的双槽法和激光辅助照射制备多孔硅锗,用电子扫描探针观察其形貌.同时测样品的PL光谱,峰位在725nm左右,且不随制备条件的变化而变化.强度比一般多孔硅的强度强10倍左右.提出了量子受限和界面态效应综合模型来解释其发光.     

不同厂家生产的心神宁片的红外光谱分析研究

利用傅立叶变换红外光谱法,考察三个不同厂家生产的心神宁片的红外光谱图及其二阶导数光谱图的差异。结果表明,由于各个生产厂家在生产控制方面的差异,心神宁片的红外光谱图亦存在一定的差异,根据其谱图的特征可以有效地将它们区分开。本研究建立了心神宁片的傅里叶变换红外光谱分析方法,该方法具有简便、快速、低成本等特点,为心神宁片的鉴别提供了科学依据。