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41.
燃料电池是继火电、水电、核电之后的第四代新型环保的发电方式,具有其它发电方式不可比拟的优越性.燃料电池中最有应用前景的是固体氧化物燃料电池(SOFC).近年来,世界各主要工业国在SOFC的关键材料、工艺过程和系统集成等方面的研究与开发取得了重大进展.  相似文献   
42.
43.
通过固相反应法合成Nd0.5Sr0.3Ba0.2MnO3多晶样品,采用粉末X射线衍射(XRD)、超导量子磁强计(SQUID)和电子自旋共振谱仪(ESR),对样品的结构和磁性进行了研究.XRD检测结果表明,样品为单相,空间群为Pbnm.磁性测量和ESR结果表明,在降温过程中,样品经历了铁磁有序转变(TC=250K)、电荷有序转变(TCO=190K)和反铁磁转变(TN=120K).通过ESR谱线的参数随温度的变化可以观察到各个磁有序转变温度,TN相似文献   
44.
针对含钛汽车齿轮钢生产过程中加钛处理时经常出现的钛吸收率不稳定问题,开展了喂钛铁合金芯线法加钛的试验.结果表明:该工艺能提高钛的吸收率,平均吸收率达87.9%,而且钛吸收率稳定,工艺简便,处理时间短,仅3 m in左右,大大降低微调加钛的工艺时间,电耗和材料消耗大大降低,现场环境改善,污染降低.  相似文献   
45.
采用顶部籽晶溶液法(TSSG),生长直径约10-15mm,长度为10mm的近化学计量比掺铁铌酸锂(Fe:SLN)和近化学计量比掺铁钽酸锂(Fe:SLT)晶体.采用二波耦合全息法测量了晶体的记录时间,擦除时间和饱和衍射效率;采用光斑畸变法测量了抗光损伤阈值.与Fe:SLN晶体相比,Fe:SLT晶体的饱和衍射效率降低,记录时间减小,抗光损伤能力显著提高,Fe:SLT晶体的抗光损伤闽值为420MW/cm^2。  相似文献   
46.
隗祖民 《科技资讯》2009,(25):9-9,12
随着国内需求火电建设步伐的加快,装机的单机容量在不断提升,在建项目超超幄界百万机组已越来越多。结合工程实际,本文介绍了华能海门电厂1000MW级凝汽器钛管焊接的各项技术措施和方法,对以后类似机纽钛管的焊接有一定的借鉴意义。  相似文献   
47.
锂离子电池正极材料Li1-xVxFePO4/C的制备及电化学性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用高温固相法合成了Li1-xVxFePO4/C(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.10)锂离子电池正极材料,通过XRD,SEM,CV,EIS和恒流充放实验研究了不同掺杂量对产物结构和电化学性能的影响。结果表明,少量V的掺杂未影响到LiFePO4的晶体结构,但显著改善了其电化学性能。其中,Li0.98V0.02FePO4/C材料以0.1 C倍率放电时,首次放电容量达到160.9 mAh·g^-1,且循环性能良好。  相似文献   
48.
分别以Fe(NO_3)_3·9H_2O和FeSO_4·7H_2O为铁源,采用均相沉淀法和氧化-液相沉淀法制备了两种不同形貌的FePO_4粉体,再以FePO_4为前驱体,与LiOH·H_2O、蔗糖混合,采用碳热还原法合成了LiFePO_4正电极材料.用XRD和SEM对所制备的FePO_4粉体进行结构和表面形貌表征,测试了LiFePO_4样品的充放电性能.XRD和SEM测定结果表明,采用均相沉淀法制备的FePO_4为六方晶系纯相,颗粒形貌为圆片状,颗粒大小均匀;而液相氧化法制备的FePO_4也为六方晶系纯相,但颗粒形貌无规则.由圆片状FePO_4和无规则FePO_4所合成的LiFePO_4的颗粒形貌与其前驱体相同.充放电测试表明在0.5C下圆片状LiFePO_4的首次放电比容量为140 mAh/g,无规则LiFePO_4的首次放电比容量为89 mAh/g.经过50次循环后,前者的放电比容量仅下降1.43%,后者基本不变.  相似文献   
49.
研究了以Li4Ti5O12为负极,分别以LiCo0.5Ni0.5Mn0.5O2,LiMn2O4或LiFePO4为正极的锂电池体系. 先筛选不同厂家的正负极材料,然后再匹配成电池做循环性能研究. 测试表明,经筛选的LiCo0.5Ni0.5Mn0.5O2,LiMn2O4与LiFePO4三种材料分别与Li4Ti5O12组成电池的初始容量分别为963、931、960 mAh;500次充放电循环后容量保持率分别为96.56%、87.69%、98.1%. 其中LiCo0.5Ni0.5Mn0.5O2体系的初始容量最高,LiFePO4体系的循环性能最好. 3种不同正极材料的钛酸锂锂离子电池在85 ℃环境下搁置4 h,电池形变少于5%.  相似文献   
50.
对卤化法制备高纯钛过程中杂质Si的行为进行了热力学分析.在实验控制的条件下,杂质Si在卤化源区可以生成SiI2和SiI4,以SiI4的形式在沉积区分解,从而进入高纯钛中.通过分析得出了抑制SiI4生成的温度控制范围.实验发现,在控制卤化源区温度773.15-973.15 K,沉积区温度1373.15-1473.15 K的条件下,可以较好地抑制Si的污染.  相似文献   
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