非线性材料杆件的强度与稳定性分析

本文分析求解了具有三阶本构关系材料梁的应力和柱的临界载荷，并对其应力特性和稳定特性作了探讨。     

多孔硅注入稀土离子Eu~(3+)对发光的影响

发光多孔硅材料的研究作为21世纪的关键新技术而受到重视,因为可用便宜而且工艺成熟的硅材料制备发光器件,实现全硅光电子集成.由于硅是当今应用最广泛的半导体材料之一,尤其是在大规模集成电路中的应用,如果能实现多孔硅发光的应用,将给光电子行业带来难以估量的影响,现在多孔硅已实现了红、绿、蓝光的发射,电致发光也已实现,使多孔硅向实用化迈出了一大步.     

RENi_5电子结构与吸氢性能关系研究

由于LaNi_5具有比液态氢,甚至固态氢电大密度的贮氢能力,较低的平台压和较好的活化能力,被人们认为是目前最重要的贮氢合金之一.但是纯La价格昂贵,在实际生产中往往用混合稀土(99%为La,Ce,Pr,Nd)来代替La.然而实验发现,用混合稀土特别是Ce代替La后,氢化物的稳定性大大下降,合金的吸氢平台压剧增了几十个大气压,活化能力也大大下降.由于RENi_5(RE=La,Ce,Pr,Nd)的原子结构相同,RE原子半径相差极小,仅仅用     

四氧化三铁敏感材料的研究

本文报道了Fe_3O_4胶体的制备工艺、结构及形成机理,讨论了Fe_2O_3型气敏元件的制备及敏感特性。研究表明,依此工艺制备的Fe_3O_4胶体可以作为敏感材料使用。     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

喷雾干燥法制备LiMn1．5Ni0．5O4及其电化学性能

采用喷雾干燥方法合成了高电压锂离子电池正极材料LiMn1.5Ni0.5O4，并研究了其电化学性能。研究发现，室温条件下，在3．20～4．95V的充放电电压范围，LiMn1.5Ni0.5O4的首次可逆容量为132mAh／g，并显示出良好的循环性能，在3．20～4．50V和4．50—4．95V两个电压区间内，首次可逆容量分别为25和100mAh／g。而在高温下，该电极材料的电化学性能发生了明显的改变。     

第7届世界生物材料大会

“第7届世界生物材料大会”（7th　World　Biomaterials　Congress）于2004年5月17日～21日在澳大利亚悉尼举行。本次大会旨在世界范围内促进材料科学家、医学工作者和其他相关组织就生物材料的制备、应用和评价进行科技协作，着重就生物材料、外科植人物、假体、人工器官及组织工程和再生医学的发展进行了广泛而深人的研讨。     

掺杂尖晶石LiAlxMn2-xO4的合成与性能研究

采用固相法合成了掺杂改性的尖品石型锂锰氧正极材料。XRD结果表明所得材料均呈现良好的尖晶石结构。通过充放电性能测试，发现LiAl_xMn_(2-x)O_4的循环性能都有了很大程度的改善，循环30次后仍能保持较高的容量，其中以LiAl_(0.05)Mn_(1.97)O_4的循环性能最好。     

Tin Oxide and Carbon Composite （Sn6O4（OH）4/AG） as the Anode in a Lithium Ion Battery

A tin oxide and carbon composite （Sn6O4（OH）4/AG） with a Sn content of 0.15-0.30 was prepared by chemical deposition at normal pressures and temperatures. The structures of the artificial graphite （AG）, the Sn6O4（OH）4, and the Sn6O4（OH）4JAG were analyzed using X-ray diffraction. The electrochemical lithiation was investigated by measuring the galvanostatic charge and discharge ratio. The electrochemical capacities of the three materials during the first discharge were 310 mAh/g （AG）, 616 mAh/g （Sn6O4（OH）4/AG）, and 1090 mAh/g （Sn6O4（oa）4）. The discharge capacity of the Sn6O4（OH）4/AG was larger than the simple sum of the capacities provided by AG and Sn6O4（OH）4 with the same content. The cyclic performance of Sn6O4（OH）4/AG was also better than that of Sn6O4（OH）4 for voltages of 0 to 3 V. The results imply that the interaction between Sn and C in Sn6O4（OH）4/AG is very strong and effectively inhibits the volume expansion of the Sn.     

I型裂纹与任意形状夹杂间的作用力

根据Eshelby等效夹杂理论,导出I型裂纹与任意形状夹杂相互作用力的近似表达式和一些特殊形状夹杂的简化算式.该解可快速算出I型裂纹与任意形状夹杂之间的作用力.由裂纹与夹杂间相互作用力的规律所揭示的复相材料中裂纹扩展特性、裂纹尖端材料的损伤机制和已有的实验观察相符.