CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。     

COB技术

本文介绍了板上芯片技术。通过一个实例讨论了COB技术的电气性能和热应力的分析，证明该技术是优良的。     

氧化铝覆炭载体的制备及抗结焦性能考察

将炭载体和γ-Al2O3载体的优势合为一体，可克服两者的不足。以烯烃、芳烃及支链芳烃中的3种化合物作为覆炭原料，制备出了γ-Al2O3覆炭载体，并对其制备条件、抗结焦性能及部分表面性质进行了考察。在理炭时间相同的条件下，3种烃类原料理炭量由高到低依次为：烯烃，芳烃，支链芳烃。覆炭裁体的抗结焦性能优于未覆炭的γ-Al2O3载体；覆炭载体上的炭以非结晶形式均匀地分布于γ-Al2O3表面上，覆炭使γ-Al2O3载体上的中强酸中心显著减少，从而有利于改善覆炭裁体的抗结焦性能。     

Bi系银基带材的制备微结构与性能的关系

采用分析纯原料进行粉末装管拉丝，然后用每道次变形量大于３０％的轧制工艺，经一次压制，在８２０～８８０℃之间非线性控制温度时间函数，总烧结时间少于１２０ｈ，制备出电流密度Ｊ＿ｃ（７７Ｋ，０Ｔ）大于３×１０￣４Ａ／ｃｍ￣２、波动范围在±２０％的高温超导Ｂｉ系银基带材，粉末装管后预抽真空处理和缓慢升温避免了长带材的起泡．ＤＴＡ研究表明，掺Ａｇ的带材降低了液相形成温度，提高了相分解温度，且使相变更易控制．ＳＥＭ显示非超导相为弥散细小的ＳｒＣａＣｕＯ。     

Si—GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半元限晶体构成的ＳｉＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ。