开区间连续函数的最大(小)值

本文将微积分中闭区间连续函数最大(小)定理推广到开区间内连续函数,在一定条件下证明了在开区间内连续函数最大(小)值的存在性,并在此基础上给出了一个求开区间内连续函数最大(小)值的一般方法.     

类硼离子C^1＋的电子碰撞电离——单通道截面的共振增加

使用Ｒ－矩阵方法，在库仑－玻恩非交换近似下采用三态密耦图像，计算了类硼离子Ｃ＾１＋的电子碰撞电离截面，给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面。计算结果揭示了明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Ｃｈｉｄｉｃｈｉｍｏ的结论相一致。     

ZnWo4：Cr^3＋的吸收光谱研究

本文通过对ZnWo4:Cr^3 晶体的光学吸收谱的观测资料^[1]的分析，假定Cr^3 杂质的有效晶场的八面体结构的变形后的D4晶场。采用Oh点群表象准对角型简化强场方案，导出了d^3-D4强场能量矩阵。首次计算了ZnWo4:Cr^3 的自旋允许谱精细结构。理论计算结果与实验吻合较好。     

SrFCl:Eu~(2+)晶体的电子自旋共振谱研究

用程序降温法生长了SrFCl:Eu~(2+)晶体,并测量了它的电子自旋共振谱。应用最小二乘法拟合技术对g因子及自旋哈密顿参数进行了精确拟合。报道了各向异性的g因子及有关自旋哈密顿参量。发现并归属了Eu~(2+)的高阶禁阻跃迁。     

氯在Cu(100)面上的吸附及其对氧共吸附的影响的电子能谱研究

利用UPS、XPS、AES、△φ和热脱附等方法,研究了室温、低分压下氯在Cu(100)面上的吸附行为以及它对氧共吸附的影响。氯解离化学吸附在铜表面上,其吸附过程包括初始快速吸附,然后缓慢增加至饱和两个步骤。吸附引起铜表面轻微氧化,但表面没有重排,即使升温氯原子也没有进一步向下扩散,热脱附的唯一产物是氯原子。室温下,氯的预吸附降低甚至完全阻止了氧的接续吸附;而预吸附氧至饱和也不会阻碍氯的接续吸附,氯的接续吸附促使氧原子进入体相和铜原子向表层扩散。     

吲哚化合物的光化学——Ⅲ.薄层层析—光度法对2—苯基吲哚敏化光氧化反应体系的定量分析研究

本文为2—苯基吲哚(1)的光氧化反应体系建立了一种薄层层析—紫外分光光度定量分离分析方法。该法灵敏、简便准确度和精密度均好。     

1,3—二(正辛基亚磺酰)丙烷的合成及其反相纸层析的R_f图谱

本文合成了1,3—二(正辛基亚磺酰)丙烷(DOSP),完成了1,3—二(正辛基亚磺酰)丙烷的四氢萘饱和溶液的反相纸层析的R_f图谱。     

河北省科技示范县（市）工业技术进步的评价

本文利用Cobb-Douglas生产函数,对河北省十三个科技示范县(市)1979～1988年间工业企业技术进步状况进行了定量分析和评价。结果表明,这些县市的年平均技术进步速度在2.34％到7.42％之间,技术进步对经济增长的贡献在24.03％到51.05％之间;与全省全民所有制独立核算工业企业在1979～1987年间的技术进步状况相比,绝大部分科技示范县(市)工业企业技术进步的效果更加明显。这一测算和分析结果大体上符合各县(市)的实际情况,对于制定科技发展和经济规划,具有重要指导意义。