首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13826篇
  免费   371篇
  国内免费   568篇
系统科学   91篇
丛书文集   662篇
教育与普及   755篇
理论与方法论   125篇
现状及发展   131篇
综合类   13001篇
  2024年   52篇
  2023年   172篇
  2022年   201篇
  2021年   204篇
  2020年   181篇
  2019年   164篇
  2018年   123篇
  2017年   143篇
  2016年   166篇
  2015年   275篇
  2014年   504篇
  2013年   416篇
  2012年   565篇
  2011年   578篇
  2010年   547篇
  2009年   599篇
  2008年   698篇
  2007年   716篇
  2006年   552篇
  2005年   562篇
  2004年   514篇
  2003年   601篇
  2002年   566篇
  2001年   671篇
  2000年   522篇
  1999年   453篇
  1998年   451篇
  1997年   458篇
  1996年   432篇
  1995年   474篇
  1994年   414篇
  1993年   289篇
  1992年   323篇
  1991年   325篇
  1990年   281篇
  1989年   266篇
  1988年   125篇
  1987年   87篇
  1986年   53篇
  1985年   20篇
  1984年   5篇
  1983年   4篇
  1982年   3篇
  1981年   2篇
  1980年   2篇
  1965年   1篇
  1962年   1篇
  1957年   3篇
  1943年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 7 毫秒
941.
直投射S-系     
设S是幺半群含有零元0≠1,且S- 为S^0-Act中的对象。引进直投射S-系,给出在中心S- 系下,直投射S-系与投射S-系的等价性。  相似文献   
942.
用盐酸加热溶解四氧化三锰样品, 加入镧盐和锶盐混合释放剂, 消除70%左右基体锰的干扰, 直接测定其中钙、镁含量, 样品加标回收率为96.8%~ 98.2%,相对标准偏差为2.4%~3.2%.  相似文献   
943.
多层喷射沉积过共晶Al-Si-Cu-Mg合金的微观组织及力学性能   总被引:2,自引:2,他引:0  
多层喷射沉积技术具有冷速快、工艺简单、氧化程度低、制备的材料组织细小且分布均匀等特点.而使高硅铝合金充分发挥实用价值的关键是细化初晶硅.作者用多层喷射沉积技术制备了过共晶Al-Si-Cu-Mg合金,并与传统的铸态冶金制备的相同化学成分的合金进行了比较.对合金的沉积坯、热挤压处理后的微观组织进行了观察与分析.结果表明,多层喷射沉积合金的初晶硅大小只有25μm左右.并对合金的拉伸性能、扫描断口进行了测试与观察,提出了合金的强化与断裂机制.  相似文献   
944.
用铸造法加激冷技术成功地制造了Al—8%Pb—1%Cu 合金轴承坯.用扫描电镜观测了铸态Al—Pb合金的金相组织和断口形貌,用电子探针微区分析观测了Fe-Al合金层的成分和厚度.研究了冷却速度对铅的分布和Al—Pb合金与钢背的结合强度的影响.研究结果表明:在复有纯铝的钢背上直接浇注Al—Pb合金,冷却速度控制在90~110℃/s时,可以得到性能良好的铝铅合金轴承.  相似文献   
945.
秦皇岛近海地区生态环境多样,鸟类资源丰富,经1988年3月至1990年11月的调查,发现记录了380种鸟(分属于19个目59个科),占河北省鸟类(405种)的93.8%,其中候鸟为345种,候鸟中有中日保护候鸟协定(227种)中的181种,占该协定鸟类的79.7%;有国家级重点保护鸟类64种,河北省重点保护鸟类78种,河北省首次记录鸟13种。候鸟之多是该地区的特点,候鸟中的旅鸟为279种,占候鸟的80.9%。  相似文献   
946.
947.
硅膜特性与1060nm窄带干涉滤光片的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
实验研究表明,硅膜在800~1100nm是一个弱吸收膜,在波长短於800nm处是个强吸收膜;利用硅膜的这一可贵特性,设计并制备了1060nm窄带干涉滤光片。  相似文献   
948.
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高温(970~1050℃),短时间(1~2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30%,迁移率为2400~2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42~46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。  相似文献   
949.
周衡南 《科学通报》1992,37(18):1653-1653
几年来,一系列研究结果报道了X射线、电子和中子衍射以及透射电镜等观察Bi系高温超导材料中不同调制的无公度结构;但常规处理的Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+4)超导材料往往存在二、三个超导相,其T_c分别为20K,85和110K的2201相(n-1),2212相(n-1)和  相似文献   
950.
研究了廉价高热稳定性富钕混合稀土永磁合金。选择价廉的富钕混合稀土制备永磁体,通过合金元素钴和钼的复合加入,提高了磁体的使用温度。对于MR_(34)Co_(14)Fe_(49.9)Mo_(1.0)B_(1.1)磁体,其性能达到:_iH_c=1 020kA/m,_bH_c=860 kA/m,B_r=1.14 T,(BH)_(max)=240 kJ/m~3,a_(20-150℃)=-0.07%/℃,T_c=485℃,W_(ir)<6%。并研究了永磁体的微观结构。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号