Bi系高温超导带材冷压工艺优化试验

采用套管法（ＰＥＴ）制备Ｂｉ系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Ｂｉ系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重Ｊｃ值反而降低,带材优化的冷压工艺参数是８３８℃／６０ｈ＋冷压＋８３８℃／６０ｈ。第１次压力为２ＧＰａ,第２次２．５ＧＰａ;冷压压下速率为１．５×１０＾－４ｍｍ／ｓ。同时研究还表明冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,最终改善     

含钼杂多酸盐对碳钢缓蚀性能的研究

采用失重法考察了６种具有Ｋｅｇｇｉｎ结构的含钼杂多酸盐在ＮａＣｌ介质中对碳钢的缓蚀作用。实验表明,所研究的化合物均有一定的缓蚀性能,尤其抑制点蚀效果很好。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

Keggin结构钨钼磷混配杂多酸盐的合成和性质研究

用复分解法首次合成了５种Ｋｅｇｇｉｎ结构钨钼磷混配杂多酸盐ＭｘＰＷ４Ｍｏ８Ｏ４０．ｎＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｅｔ４Ｎ,Ｂｕ４Ｎ,Ｋ,Ｂａ,Ｚｎ）,通过ＩＲ,ＵＶ,ＤＴ－ＴＧＡ,极谱及循环伏安对它们进行了表征。     

OH-根对掺铒碲酸盐玻璃光谱性质的影响

制备了5种浓度下系列不同OH^-根含量的掺铒碲酸盐玻璃样品，测试了样品的红外吸收光谱，分析了在不同通氧除水时间下玻璃的红外吸收系数变化情况．测试了样品的吸收光谱，利用Judd-Ofelt理论计算了不同铒掺杂浓度和OH^-根含量样品的光谱参量Ωi（i=2，4，6）．根据McCumber理论计算了铒离子在1532nm处的吸收截面和Er^3＋：^4I13／2→^4I15/2跃迁峰值发射截面．测试了样品中Er^3＋：^4I13／2→^4I15/2跃迁对应的荧光光谱和^4I13／2能级荧光寿命，讨论了OH^-根对不同铒掺杂浓度下碲酸盐玻璃光谱性质的影响．研究结果表明，OH^-根仅对荧光寿命和荧光峰值强度存在影响，在Er2O3浓度小于1．0mol％时，OH^-根是发生荧光猝灭的主要影响因素，而高于这一浓度后Er^3＋离子本身的能量转移对荧光猝灭起主要作用．而OH^-根对其他光谱性质（荧光半高宽、吸收光谱、受激发射截面等）基本没有影响．     

反式- 4- [4''''- (N,N-二丁基氨基 )苯乙烯基 ] - N-甲基吡啶对甲基苯磺酸盐的合成、表征及光学性质研究

摘要：合成了一种新的有机染料，反式-4-[4′-(N，N-二丁基氨基)苯乙烯基]-N-甲基吡啶对甲基苯磺酸盐，并通过元素分析、电喷雾质谱、热重分析以及红外等现代化分析手段进行表征，并对其紫外-可见电子光谱、荧光光谱等线性光学性质进行初步研究．     

掺锰改性(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)(Ba_(0.5)Sr_(0.5))_(0.06)TiO_3压电陶瓷的性能和微结构

采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀.     

铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.     

磷钼杂多酸盐催化作用下的SBS环氧化反应

用磷铝杂多酸盐为反应控制相转移催化剂，以30％H2O2为氧源，对SBS进行环氧化反应．实验表明：其适宜条件为反应时间2h，反应温度70℃，SBS溶液浓度为100g／L．n（磷钼酸盐）：n（过氧化氢）=1．72，过氧化氢（相对于SBS）质量百分用量为27．2％，所得产物的环氧化程度最高为7．63％，催化剂可回收再利用．